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BD900A

更新时间: 2024-09-24 17:56:23
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA /
页数 文件大小 规格书
4页 156K
描述
8A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

BD900A 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.79Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):8 A
集电极-发射极最大电压:80 V配置:DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE):750JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
功耗环境最大值:70 W最大功率耗散 (Abs):70 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):1 MHz
Base Number Matches:1

BD900A 数据手册

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