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BD882-GR-TP-HF

更新时间： 2024-01-19 09:13:40
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
3页 337K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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BD882-GR-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.71
湿度敏感等级：1峰值回流温度（摄氏度）：260
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

BD882-GR-TP-HF 数据手册

 浏览型号BD882-GR-TP-HF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BD882-GR-TP-HF的Datasheet PDF文件第3页 
BD882-R  
BD882-O  
BD882-Y  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
BD882-GR  
Features  
·
·
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
Silicon  
NPN epitaxial planer  
Transistors  
ꢀ
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
·
·
•
Marking: D882  
O
Maximum Ratings @ 25 C Unless Otherwise Specified  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current-Continuous  
Collector Dissipation  
Operating Junction Temperature  
Rating  
Unit  
V
V
V
A
ꢀ
SOT-89  
30  
40  
6
3
0.5  
150  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
A
ꢀ
ꢀ
ꢀ
K
ꢀ
PC  
TJ  
W
R
B
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
TSTG  
Storage Temperature  
-55 to +150  
R
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
E
ꢀ
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
C
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Symbol  
V(BR)CEO  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=10mAdc, IB=0)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=100uAdc, IE=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IE=100uAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=40Vdc, IE=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=30Vdc, IB=0)  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=6Vdc, IC=0)  
DC Current Gain  
(IC=1Adc, VCE=2Vdc)  
Min  
Typ  
Max  
Units  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
D
30  
---  
---  
Vdc  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
G
H
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
ꢀ
J
40  
6
---  
---  
---  
---  
---  
---  
1
Vdc  
ꢀ
ꢀ
F
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Vdc  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
---  
---  
uAdc  
uAdc  
ꢀꢀ  
ꢀ
ICEO  
ꢀ
ꢀ
10  
ꢀ
1
2
3
ꢀ
ꢀ
ꢀ
IEBO  
hFE  
1. BASE  
---  
---  
1
uAdc  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
2. COLLETOR  
3. EMITTER  
ꢀ
60  
----  
400  
ꢀ
VCE(sat)  
VBE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=2Adc, IB=0.2Adc)  
ꢀ
---  
---  
----  
----  
0.5  
1.5  
Vdc  
Vdc  
ꢀ
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=2Adc, IB=0.2Adc)  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢁꢄꢅꢆ  
ꢈꢀꢇꢆ  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ  
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ꢇꢇꢆ  
ꢁꢋꢌꢄꢅꢆ  
ꢇꢉꢊꢆ  
Transition frequency  
(VCE=5Vdc, f=10MHz, IC=0.1A)  
ft  
50  
---  
---  
MHz  
ꢇꢀꢁꢆ  
ꢒꢍꢐꢓꢆ  
1.55  
ꢉꢆ  
ꢖ
ꢍꢎꢏꢐꢆ  
ꢍꢎꢑꢎꢆ  
ꢒꢍꢔꢕꢆ  
ꢇꢇꢇꢇꢇ  
ꢆ
.061  
ꢇꢇꢇꢇꢇ  
REF.  
ꢆ
ꢂꢆ  
ꢈꢆ  
ꢄꢆ  
ꢙꢆ  
ꢝꢆ  
ꢃꢆ  
ꢞꢆ  
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ꢍꢕꢐꢎꢆ  
ꢍꢕꢓꢘꢆ  
ꢍꢎꢎꢑꢆ  
ꢍꢕꢎꢐꢆ  
ꢍꢕꢎꢗꢆ  
ꢍꢕꢎꢗꢆ  
ꢍꢕꢗꢗꢆ  
ꢍꢎꢔꢗꢆ  
ꢍꢕꢐꢓꢆ  
ꢍꢎꢕꢕꢆ  
ꢚꢚꢚꢚꢚꢆ  
ꢍꢕꢎꢓꢆ  
ꢍꢕꢘꢎꢆ  
ꢍꢕꢎꢔꢆ  
ꢍꢕꢔꢐꢆ  
ꢐꢍꢓꢎꢆ  
ꢕꢍꢑꢕꢆ  
ꢘꢍꢐꢒꢆ  
ꢐꢍꢕꢕꢆ  
ꢕꢍꢐꢐꢆ  
ꢕꢍꢐꢑꢆ  
ꢕꢍꢐꢑꢆ  
ꢎꢍꢒꢕꢆ  
ꢒꢍ25ꢆ  
ꢎꢍꢕꢕꢆ  
ꢘꢍꢗꢒꢆ  
ꢚꢚꢚꢚꢚꢆ  
ꢕꢍꢒꢑꢆ  
ꢕꢍꢗꢐꢆ  
ꢕꢍꢒꢎꢆ  
ꢎꢍꢔꢕꢆ  
ꢆ
CLASSIFICATION OF hFE  
ꢆ
ꢌꢛꢜꢆ  
ꢆ
ꢆ
ꢆ
ꢆ
Rank  
R
Y
GR  
O
100-200  
200-400  
60-120  
160-320  
Range  
 ꢆ  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: B  
2013/01/01  
123

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与BD882-GR-TP-HF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD882HY MCC

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 		Tape: 1K/Reel , 40K/Ctn;
BD882HY YANGJIE

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 		SOT-89
BD882-O MCC

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 		Silicon NPN epitaxial planer Transistors
BD882-O-TP MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMP
BD882-O-TP-HF MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
BD882-R MCC

获取价格

 		Silicon NPN epitaxial planer Transistors
BD882-R-TP MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMP
BD882-R-TP-HF MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
BD882-Y MCC

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 		Silicon NPN epitaxial planer Transistors
BD882-Y YANGJIE

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 		SOT-89

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