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BD882-R

更新时间： 2024-02-19 09:48:26
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 304K
描述
Silicon NPN epitaxial planer Transistors

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BD882-R 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：160
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

BD882-R 数据手册

 浏览型号BD882-R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BD882-R的Datasheet PDF文件第3页 
BD882-R  
BD882-O  
BD882-Y  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
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$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
BD882-GR  
Features  
Silicon  
NPN epitaxial planer  
Transistors  
ꢀ
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
·
·
•
Marking: D882  
O
Maximum Ratings @ 25 C Unless Otherwise Specified  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current-Continuous  
Collector Dissipation  
Operating Junction Temperature  
Rating  
Unit  
V
V
V
A
ꢀ
SOT-89  
30  
40  
6
3
0.5  
150  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
A
ꢀ
ꢀ
ꢀ
K
ꢀ
PC  
TJ  
W
R
B
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
TSTG  
Storage Temperature  
-55 to +150  
R
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
E
ꢀ
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
C
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Symbol  
V(BR)CEO  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=10mAdc, IB=0)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=100uAdc, IE=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IE=100uAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=40Vdc, IE=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=30Vdc, IB=0)  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=6Vdc, IC=0)  
DC Current Gain  
(IC=1Adc, VCE=2Vdc)  
Min  
Typ  
Max  
Units  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
D
30  
---  
---  
Vdc  
ꢀ
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G
H
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ꢀ
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ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
ꢀ
J
40  
6
---  
---  
---  
---  
---  
---  
1
Vdc  
ꢀ
ꢀ
F
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Vdc  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
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---  
---  
uAdc  
uAdc  
ꢀꢀ  
ꢀ
ICEO  
ꢀ
ꢀ
10  
ꢀ
1
2
3
ꢀ
ꢀ
ꢀ
IEBO  
hFE  
1. BASE  
---  
---  
1
uAdc  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
2. COLLETOR  
3. EMITTER  
ꢀ
60  
----  
400  
ꢀ
VCE(sat)  
VBE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=2Adc, IB=0.2Adc)  
ꢀ
---  
---  
----  
----  
0.5  
1.5  
Vdc  
Vdc  
ꢀ
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=2Adc, IB=0.2Adc)  
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ꢇꢉꢊꢆ  
Transition frequency  
(VCE=5Vdc, f=10MHz, IC=0.1A)  
ft  
50  
---  
---  
MHz  
ꢇꢀꢁꢆ  
ꢒꢍꢐꢓꢆ  
1.55  
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ꢆ
.061  
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REF.  
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ꢕꢍꢒꢎꢆ  
ꢎꢍꢔꢕꢆ  
ꢆ
CLASSIFICATION OF hFE  
ꢆ
ꢌꢛꢜꢆ  
ꢆ
ꢆ
ꢆ
ꢆ
Rank  
R
Y
GR  
O
100-200  
200-400  
60-120  
160-320  
Range  
 ꢆ  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: A  
2011/01/01  
123

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
BD882-R-TP MCC Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMP

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