Datasheet > BD882-O

BD882-O

更新时间： 2024-11-02 08:51:47

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	304K
描述
Silicon NPN epitaxial planer Transistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BD882-O 数据手册

BD882-R

BD882-O

BD882-Y

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

BD882-GR

Features

Silicon

NPN epitaxial planer

Transistors

ꢀ

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

•

Marking: D882

Maximum Ratings @ 25 C Unless Otherwise Specified

ꢀ

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Rating

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Dissipation

Operating Junction Temperature

Rating

Unit

ꢀ

SOT-89

0.5

150

ꢀ

P_C

T_J

ꢀ

T_STG

Storage Temperature

-55 to +150

ꢀ

Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified

ꢀ

Symbol

V_(BR)CEO

Parameter

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=10mAdc, I_B=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=100uAdc, I_E=0)

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_E=100uAdc, I_C=0)

Collector Cutoff Current

(V_CB=40Vdc, I_E=0)

Collector Cutoff Current

(V_CB=30Vdc, I_B=0)

Emitter Cutoff Current

(V_EB=6Vdc, I_C=0)

DC Current Gain

(I_C=1Adc, V_CE=2Vdc)

Min

Typ

Max

Units

ꢀ

---

Vdc

ꢀ

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_CBO

ꢀ

---

Vdc

ꢀ

Vdc

ꢀ

---

uAdc

ꢀꢀ

ꢀ

I_CEO

ꢀ

I_EBO

h_FE

1. BASE

---

uAdc

ꢀ

2. COLLETOR

3. EMITTER

ꢀ

----

400

ꢀ

V_CE(sat)

V_BE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=2Adc, I_B=0.2Adc)

ꢀ

---

----

0.5

1.5

Vdc

ꢀ

Base-Emitter Saturation Voltage

(I_C=2Adc, I_B=0.2Adc)

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢁꢄꢅꢆ

ꢈꢀꢇꢆ

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ

ꢇꢀꢁꢆ ꢇꢉꢊꢆ

ꢇꢇꢆ

ꢁꢋꢌꢄꢅꢆ

ꢇꢉꢊꢆ

Transition frequency

(V_CE=5Vdc, f=10MHz, I_C=0.1A)

f_t

---

MHz

ꢇꢀꢁꢆ

ꢒꢍꢐꢓꢆ

1.55

ꢉꢆ

ꢖ

ꢍꢎꢏꢐꢆ

ꢍꢎꢑꢎꢆ

ꢒꢍꢔꢕꢆ

ꢇꢇꢇꢇꢇ

ꢆ

.061

ꢇꢇꢇꢇꢇ

REF.

ꢆ

ꢂꢆ

ꢈꢆ

ꢄꢆ

ꢙꢆ

ꢝꢆ

ꢃꢆ

ꢞꢆ

ꢍꢎꢗꢒꢆ

ꢍꢕꢐꢎꢆ

ꢍꢕꢓꢘꢆ

ꢍꢎꢎꢑꢆ

ꢍꢕꢎꢐꢆ

ꢍꢕꢎꢗꢆ

ꢍꢕꢗꢗꢆ

ꢍꢎꢔꢗꢆ

ꢍꢕꢐꢓꢆ

ꢍꢎꢕꢕꢆ

ꢚꢚꢚꢚꢚꢆ

ꢍꢕꢎꢓꢆ

ꢍꢕꢘꢎꢆ

ꢍꢕꢎꢔꢆ

ꢍꢕꢔꢐꢆ

ꢐꢍꢓꢎꢆ

ꢕꢍꢑꢕꢆ

ꢘꢍꢐꢒꢆ

ꢐꢍꢕꢕꢆ

ꢕꢍꢐꢐꢆ

ꢕꢍꢐꢑꢆ

ꢎꢍꢒꢕꢆ

ꢒꢍ25ꢆ

ꢎꢍꢕꢕꢆ

ꢘꢍꢗꢒꢆ

ꢚꢚꢚꢚꢚꢆ

ꢕꢍꢒꢑꢆ

ꢕꢍꢗꢐꢆ

ꢕꢍꢒꢎꢆ

ꢎꢍꢔꢕꢆ

ꢆ

CLASSIFICATION OF h^FE

ꢆ

ꢌꢛꢜꢆ

ꢆ

Rank

100-200

200-400

60-120

160-320

Range

ꢆ

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: A

2011/01/01

12 3

中文翻译

下载PDF

与BD882-O相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BD882-O-TP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMP
BD882-O-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
BD882-R	MCC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planer Transistors
BD882-R-TP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMP
BD882-R-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
BD882-Y	MCC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planer Transistors
BD882-Y	YANGJIE	获取价格	SOT-89
BD882-Y-TP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMP
BD88400FJ	ROHM	获取价格	BD88400FJ是无需输出耦合电容器的耳机放大器。本IC内置有稳压电荷泵型负电源发生电路
BD88400GUL	ROHM	获取价格	Coupling Capacitorless Headphone Amplifiers

与BD882-O相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

5
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

2
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

23
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

24

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BD882-O

BD882-O 数据手册

与BD882-O相关器件

与BD882-O相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BD882-O

BD882-O 数据手册

与BD882-O相关器件

与BD882-O相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？