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BD882-R-TP-HF PDF预览

BD882-R-TP-HF

更新时间： 2024-11-02 18:42:35
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
3页 337K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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BD882-R-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
湿度敏感等级：1峰值回流温度（摄氏度）：260
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

BD882-R-TP-HF 数据手册

 浏览型号BD882-R-TP-HF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BD882-R-TP-HF的Datasheet PDF文件第3页 
BD882-R  
BD882-O  
BD882-Y  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
BD882-GR  
Features  
·
·
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
Silicon  
NPN epitaxial planer  
Transistors  
ꢀ
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
·
·
•
Marking: D882  
O
Maximum Ratings @ 25 C Unless Otherwise Specified  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current-Continuous  
Collector Dissipation  
Operating Junction Temperature  
Rating  
Unit  
V
V
V
A
ꢀ
SOT-89  
30  
40  
6
3
0.5  
150  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
A
ꢀ
ꢀ
ꢀ
K
ꢀ
PC  
TJ  
W
R
B
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
TSTG  
Storage Temperature  
-55 to +150  
R
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
E
ꢀ
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
C
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Symbol  
V(BR)CEO  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=10mAdc, IB=0)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=100uAdc, IE=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IE=100uAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=40Vdc, IE=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=30Vdc, IB=0)  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=6Vdc, IC=0)  
DC Current Gain  
(IC=1Adc, VCE=2Vdc)  
Min  
Typ  
Max  
Units  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
D
30  
---  
---  
Vdc  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
G
H
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
ꢀ
J
40  
6
---  
---  
---  
---  
---  
---  
1
Vdc  
ꢀ
ꢀ
F
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Vdc  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
---  
---  
uAdc  
uAdc  
ꢀꢀ  
ꢀ
ICEO  
ꢀ
ꢀ
10  
ꢀ
1
2
3
ꢀ
ꢀ
ꢀ
IEBO  
hFE  
1. BASE  
---  
---  
1
uAdc  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
2. COLLETOR  
3. EMITTER  
ꢀ
60  
----  
400  
ꢀ
VCE(sat)  
VBE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=2Adc, IB=0.2Adc)  
ꢀ
---  
---  
----  
----  
0.5  
1.5  
Vdc  
Vdc  
ꢀ
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=2Adc, IB=0.2Adc)  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢁꢄꢅꢆ  
ꢈꢀꢇꢆ  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ  
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ꢇꢇꢆ  
ꢁꢋꢌꢄꢅꢆ  
ꢇꢉꢊꢆ  
Transition frequency  
(VCE=5Vdc, f=10MHz, IC=0.1A)  
ft  
50  
---  
---  
MHz  
ꢇꢀꢁꢆ  
ꢒꢍꢐꢓꢆ  
1.55  
ꢉꢆ  
ꢖ
ꢍꢎꢏꢐꢆ  
ꢍꢎꢑꢎꢆ  
ꢒꢍꢔꢕꢆ  
ꢇꢇꢇꢇꢇ  
ꢆ
.061  
ꢇꢇꢇꢇꢇ  
REF.  
ꢆ
ꢂꢆ  
ꢈꢆ  
ꢄꢆ  
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ꢍꢕꢓꢘꢆ  
ꢍꢎꢎꢑꢆ  
ꢍꢕꢎꢐꢆ  
ꢍꢕꢎꢗꢆ  
ꢍꢕꢎꢗꢆ  
ꢍꢕꢗꢗꢆ  
ꢍꢎꢔꢗꢆ  
ꢍꢕꢐꢓꢆ  
ꢍꢎꢕꢕꢆ  
ꢚꢚꢚꢚꢚꢆ  
ꢍꢕꢎꢓꢆ  
ꢍꢕꢘꢎꢆ  
ꢍꢕꢎꢔꢆ  
ꢍꢕꢔꢐꢆ  
ꢐꢍꢓꢎꢆ  
ꢕꢍꢑꢕꢆ  
ꢘꢍꢐꢒꢆ  
ꢐꢍꢕꢕꢆ  
ꢕꢍꢐꢐꢆ  
ꢕꢍꢐꢑꢆ  
ꢕꢍꢐꢑꢆ  
ꢎꢍꢒꢕꢆ  
ꢒꢍ25ꢆ  
ꢎꢍꢕꢕꢆ  
ꢘꢍꢗꢒꢆ  
ꢚꢚꢚꢚꢚꢆ  
ꢕꢍꢒꢑꢆ  
ꢕꢍꢗꢐꢆ  
ꢕꢍꢒꢎꢆ  
ꢎꢍꢔꢕꢆ  
ꢆ
CLASSIFICATION OF hFE  
ꢆ
ꢌꢛꢜꢆ  
ꢆ
ꢆ
ꢆ
ꢆ
Rank  
R
Y
GR  
O
100-200  
200-400  
60-120  
160-320  
Range  
 ꢆ  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: B  
2013/01/01  
123

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与BD882-R-TP-HF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD882-Y MCC

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 		Silicon NPN epitaxial planer Transistors
BD882-Y YANGJIE

获取价格

 		SOT-89
BD882-Y-TP MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMP
BD88400FJ ROHM

获取价格

 		BD88400FJ是无需输出耦合电容器的耳机放大器。本IC内置有稳压电荷泵型负电源发生电路
BD88400GUL ROHM

获取价格

 		Coupling Capacitorless Headphone Amplifiers
BD88400GUL-E2 ROHM

获取价格

 		Coupling Capacitorless Headphone Amplifiers
BD88410GUL ROHM

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 		Coupling Capacitorless Headphone Amplifiers
BD88410GUL-E2 ROHM

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 		Coupling Capacitorless Headphone Amplifiers
BD88415GUL ROHM

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