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BD840YT

更新时间： 2024-11-04 08:51:47

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强茂 - PANJIT		二极管瞄准线功效
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描述
THROUGH HOLE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

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BD840YT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-251AB
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.26
其他特性：	LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.7 V	JEDEC-95代码：	TO-251AB
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	最大非重复峰值正向电流：	85 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	8 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	40 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BD840YT 数据手册

BD840YT~BD8200YT

THROUGH HOLE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

Unit : inch (mm)

TO-251AB

CURRENT

8 Ampere

VOLTAGE

40 to 200 Volts

FEATURES

.264(6.7)

.248(6.3)

.098(2.5)

.082(2.1)

• Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-O

.024(0.6)

.016(0.4)

• For surface mounted applications

• Low profile package

.216(5.5)

.200(5.1)

• Built-in strain relief

• Low power loss, High efficiency

• High surge capacity

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

.071(1.8)

.051(1.3)

MECHANICALDATA

.032(0.8)

.012(0.3)

• Case: TO-251AB molded plastic

.02(0.5)

• Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026

• Polarity: As marking

.09 .09

(2.3) (2.3)

• Standard packaging: 16mm tape (EIA-481)

• Weight: 0.0104 ounces, 0.297grams.

MAXIMUMRATINGSANDELECTRICALCHARACTERISTICS

Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load.

BD840YT

BD845YT BD850YT BD860YT BD880YT BD890YT BD8100YT BD8150YT BD8200YT

PARAMETER

SYMBOL

V_RRM

UNITS

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

31.5

100

150

105

150

200

140

200

Maximum RMS Voltage

V_RMS

Maximum DC Blocking Voltage

V_DC

100

Maximum Average Forward Current (See Figure 1)

I_F(AV)

Peak Forward Surge Current :8.3ms single half sine-wave

superimposed on rated load(JEDEC method)

I_FSM

Maximum Forward Voltage at 8.0A

V_F

0.70

0.75

0.80

0.90

Maximum DC Reverse Current T

=25^OC

0.05

I_R

^OC / W

^OC

at Rated DC Blocking Voltage T

=100^OC

Typical Thermal Resistance

R_θJC

Operating Junction and Storage Temperature

Range

-55 to +150

T_J,T_{S T G}

-65 to +175

PAGE . 1

STAD-APR.30.2009

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BD842	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-202AA
BD843	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-202AA
BD844	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-202AA
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