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BD850T PDF预览

BD850T

更新时间： 2024-11-04 08:51:47
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强茂 - PANJIT /
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2页 43K
描述
THROUGH HOLE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

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BD850T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-251AB包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.28其他特性：LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.75 V
JEDEC-95代码：TO-251ABJESD-30 代码：R-PSIP-T3
最大非重复峰值正向电流：85 A元件数量：1
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：50 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

BD850T 数据手册

 浏览型号BD850T的Datasheet PDF文件第2页 
BD840T~BD8200T  
THROUGH HOLE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS  
Unit : inch (mm)  
TO-251AB  
CURRENT  
8 Ampere  
VOLTAGE  
40 to 200 Volts  
FEATURES  
.264(6.7)  
.248(6.3)  
.098(2.5)  
.082(2.1)  
• Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-O  
.024(0.6)  
.016(0.4)  
.216(5.5)  
.200(5.1)  
• For surface mounted applications  
• Low profile package  
• Built-in strain relief  
• Low power loss, High efficiency  
• High surge capacity  
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives  
.071(1.8)  
.051(1.3)  
MECHANICALDATA  
.032(0.8)  
.012(0.3)  
• Case: TO-251AB molded plastic  
.02(0.5)  
• Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026  
• Polarity: As marking  
.09 .09  
(2.3) (2.3)  
• Standard packaging: 16mm tape (EIA-481)  
• Weight: 0.0104 ounces, 0.297grams.  
MAXIMUMRATINGSANDELECTRICALCHARACTERISTICS  
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load.  
BD840T  
BD845T  
BD850T  
BD860T  
BD880T  
BD890T  
BD8100T  
BD8150T  
BD8200T  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
UNITS  
V
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
40  
45  
50  
60  
80  
56  
80  
8
90  
63  
90  
100  
150  
105  
150  
200  
Maximum RMS Voltage  
VRMS  
28  
40  
31.5  
45  
35  
50  
42  
60  
70  
140  
200  
V
V
Maximum DC Blocking Voltage  
VDC  
100  
Maximum Average Forward Current (See Figure 1)  
IF(AV)  
A
Peak Forward Surge Current :8.3ms single half sine-wave  
superimposed on rated load(JEDEC method)  
IFSM  
85  
A
Maximum Forward Voltage at 8.0A  
VF  
0.70  
0.75  
0.80  
0.90  
V
Maximum DC Reverse Current T  
J
=25OC  
0.05  
20  
IR  
mA  
OC / W  
OC  
at Rated DC Blocking Voltage T  
J
=100OC  
Typical Thermal Resistance  
RθJC  
5
Operating Junction and Storage Temperature  
Range  
-55 to +150  
TJ ,TS T G  
-65 to +175  
PAGE . 1  
STAD-APR.30.2009  
12

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