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BD791T

更新时间： 2024-02-08 23:40:21
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 105K
描述
4A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225AA, PLASTIC, CASE 77-09, 3 PIN

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BD791T 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：TO-225AA
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.31最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：5JEDEC-95代码：TO-225AA
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：40 MHz
Base Number Matches：1

BD791T 数据手册

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1.0  
0.7  
0.5  
D = 0.5  
0.2  
0.3  
0.2  
0.1  
0.05  
P
(pk)  
0.1  
0.07  
0.05  
R
R
= r(t) R  
θ
θ
θ
JC(t)  
= 8.34  
JC  
C/W MAX  
°
JC  
D CURVES APPLY FOR POWER  
PULSE TRAIN SHOWN  
READ TIME AT t  
0.02  
0.01  
t
1
0.03  
0.02  
t
2
1
(pk)  
0 (SINGLE PULSE)  
T
– T = P  
R
J(pk)  
C
θ
JC(t)  
100  
DUTY CYCLE, D = t /t  
1 2  
0.01  
0.02  
0.05  
0.1  
0.2  
0.5  
1.0  
2.0  
t, TIME (ms)  
5.0  
10  
20  
50  
200  
Figure 4. Thermal Response  
10  
There are two limitations on the power handling ability of a  
transistor: average junction temperature and second break-  
100  
500  
µs  
5.0  
1.0 ms  
µs  
2.0  
down. Safe operating area curves indicate I – V  
limits of  
C
CE  
dc  
the transistor that must be observed for reliable operation,  
i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-  
tion than the curves indicate.  
1.0  
0.5  
T
= 150°C  
J
5.0 ms  
BONDING WIRE LIMITED  
THERMALLY LIMITED @ T = 25°C  
C
(SINGLE PULSE)  
The data of Figure 5 is based on T  
= 150 C: T is  
C
J(pk)  
variable depending on conditions. Second breakdown pulse  
limits are valid for duty cycles to 10% provided T  
0.1  
0.05  
J(pk)  
may be calculated from the data in Fig-  
SECOND BREAKDOWN LIMITED  
150 C, T  
J(pk)  
CURVES APPLY BELOW RATED V  
CEO  
ure 4. At high case temperatures, thermal limitations will re-  
duce the power that can be handled to values less than the  
limitations imposed by second breakdown.  
0.02  
0.01  
1.0  
2.0 3.0  
5.0 7.0 10  
20  
30  
50 70 100  
V
, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)  
CE  
Figure 5. Active Region Safe Operating Area  
2000  
1000  
200  
T
= 25°C  
T
= 25°C  
J
J
V
I
= 30 V  
/I = 10  
CC  
100  
700  
500  
C B  
B1 B2  
C
ib  
I
= I  
t
s
70  
50  
300  
200  
100  
70  
50  
C
30  
20  
ob  
t
f
30  
20  
10  
1.0  
2.0  
3.0  
5.0 7.0  
10 20  
30  
50 70 100  
0.04 0.06  
0.1  
0.2  
0.4  
0.6  
1.0  
2.0  
4.0  
V
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)  
R
I
, COLLECTOR CURRENT (AMP)  
C
Figure 7. Capacitance  
Figure 6. Turn–Off Time  
3
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data  
123456

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BD791T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BD791 ONSEMI

功能相似

 POWER TRANSISTOR SILICON

与BD791T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD792 MOTOROLA

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BD792 NJSEMI

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 		Trans GP BJT NPN 100V 4A 3-Pin TO-225
BD7931F ROHM

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 		Power Driver IC for CDs/DVDs
BD7931F-E2 ROHM

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BD7931F-TR ROHM

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 		0.5A or Less Reversible Motor Drivers (Single Moter)
BD795 INTERSIL

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 		EPITAXIAL-BASE,SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS
BD7956FS ROHM

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 		7ch Power Driver for CD-ROM, DVD-ROM
BD7956FS-E2 ROHM

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 		CD Motor Driver, 7 Channel, PDSO54, LEAD FREE, HSSOP-54
BD7959EFV ROHM

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 		Silicon Monolithic Integrated Circuit
BD7959EFV-E2 ROHM

获取价格

 		System Motor Driver IC for Half Height Drive (3 Sensors)

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