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BD776

更新时间： 2024-11-03 22:27:27
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
4页 120K
描述
DARLINGTON 4-AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 45, 60, 80 VOLTS 15 WATTS

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BD776 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-225AA包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.85
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：750JEDEC-95代码：TO-225AA
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：20 MHzBase Number Matches：1

BD776 数据手册

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by BD777/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . designed for general purpose amplifier and high–speed switching applications.  
•
High DC Current Gain  
= 1400 (Typ) @ I = 2.0 Adc  
Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 10 mAdc  
h
FE  
C
•
*Motorola Preferred Device  
V
V
V
= 45 Vdc (Min) — BD776  
= 60 Vdc (Min) — BD777, 778  
= 80 Vdc (Min) — BD780  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
DARLINGTON  
4–AMPERE  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
•
•
Reverse Voltage Protection Diode  
Monolithic Construction with Built–in Base–Emitter output Resistor  
POWER TRANSISTORS  
45, 60, 80 VOLTS  
15 WATTS  
MAXIMUM RATINGS  
BD777  
BD778  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol BD776  
BD780  
80  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
45  
45  
60  
60  
CEO  
V
80  
CB  
V
EB  
5.0  
Collector Current —  
Continuous Peak  
I
C
4.0  
6.0  
Base Current  
I
B
100  
mAdc  
Total Device Dissipation  
P
D
15  
0.12  
Watts  
W/ C  
T
C
= 25 C – Derate above 25 C  
CASE 77–08  
TO–225AA TYPE  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
–65 to +150  
C
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
8.34  
83.3  
C/W  
θJC  
θJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
R
C/W  
16  
1.6  
1.2  
0.8  
12  
8.0  
4.0  
0.4  
0
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
160  
T, TEMPERATURE (°C)  
Figure 1. Power Derating  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 7  
Motorola, Inc. 1995
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD7763EFV-E2 ROHM

获取价格

 		Stepper Motor Controller, 0.8A, PDSO54, 18.50 X 9.50 MM, 1 MM HEIGHT, HTSSOP-54
BD777 MOTOROLA

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 		Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors
BD777 ONSEMI

获取价格

 		DARLINGTON 4-AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 45, 60, 80 VOLTS 15 WATTS
BD777 NJSEMI

获取价格

 		Trans Darlington NPN 60V 4A 3-Pin TO-225
BD777/D ETC

获取价格

 		Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors
BD7771EFS ROHM

获取价格

 		7ch Power Driver for DVD(RW, RAM)
BD7776ARFS ROHM

获取价格

 		Silicon Monolithic Integrated Circuit
BD7776ARFS-E2 ROHM

获取价格

 		Motion Control Electronic, PDSO44
BD778 MOTOROLA

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 		Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors
BD778 ONSEMI

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