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BD633

更新时间: 2024-11-23 20:26:35
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
36页 1478K
描述
TRANSISTOR,BJT,NPN,45V V(BR)CEO,2A I(C),TO-220AB

BD633 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.69
最大集电极电流 (IC):2 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):25JESD-609代码:e0
最高工作温度:140 °C极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):2 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1

BD633 数据手册

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