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BD635

更新时间: 2024-11-23 20:26:35
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC /
页数 文件大小 规格书
36页 1478K
描述
TRANSISTOR,BJT,NPN,60V V(BR)CEO,2A I(C),TO-220AB

BD635 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.66
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):2 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):25
JESD-609代码:e0最高工作温度:140 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):2 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

BD635 数据手册

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