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BD635

更新时间： 2024-09-27 06:41:55

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	224K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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BD635 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Base Number Matches：	1

BD635 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BD635

DESCRIPTION

·DC Current Gain -

: h_FE= 40(Min.)@ I_C= 25mA

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 60V(Min.)

·Complement to Type BD636

APPLICATIONS

·Designed for amplifier and switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

I_CM

I_B

0.3

Collector Power Dissipation

@ T_a=25℃

P_C

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

℃

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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与BD635相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BD63511EFV	ROHM	获取价格	BD63511EFV是适用于1/16µ-step的步进电机驱动器。作为基本功能，是低功耗双
BD63511EFV-E2	ROHM	获取价格	Stepper Motor Controller, 1.5A, BIPolar, PDSO28, HTSSOP-28
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BD63520AEFV-E2	ROHM	获取价格	Micro step 36V Stepping Motor Drivers
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