BD546C

更新时间： 2024-11-03 04:09:15

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伯恩斯 - BOURNS		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	105K
描述
PNP SILICON POWER TRANSISTORS

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BD546C 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.79	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	15 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BD546C 数据手册

BD546, BD546A, BD546B, BD546C

PNP SILICON POWER TRANSISTORS

●

Designed for Complementary Use with the

BD545 Series

SOT-93 PACKAGE

(TOP VIEW)

●

85 W at 25°C Case Temperature

15 A Continuous Collector Current

Customer-Specified Selections Available

Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.

MDTRAAA

absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted)

RATING

SYMBOL

VALUE

UNIT

BD546

-40

-60

BD546A

BD546B

BD546C

BD546

Collector-base voltage (I_E= 0)

V_CBO

-80

-100

-40

BD546A

BD546B

BD546C

-60

Collector-emitter voltage (I_B= 0) (see Note 1)

V_CEO

-80

-100

Emitter-base voltage

V_EBO

I_C

-5

Continuous collector current

-15

Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature (see Note 2)

Continuous device dissipation at (or below) 25°C free air temperature (see Note 3)

Operating free air temperature range

P_tot

T_A

°C

3.5

-65 to +150

260

Operating junction temperature range

T_j

Storage temperature range

T_stg

T_L

Lead temperature 3.2 mm from case for 10 seconds

NOTES: 1. These values apply when the base-emitter diode is open circuited.

2. Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 0.68 W/°C.

3. Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 28 mW/°C.

JUNE 1973 - REVISED SEPTEMBER 2002

Specifications are subject to change without notice.

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