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BD52E23G-M

更新时间： 2023-09-03 20:24:55

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		电容器
页数	文件大小	规格书
15页	1273K
描述
罗姆的延迟时间自由设置型CMOS复位IC系列，是内置了采用CMOS工艺的高精度、低消耗电流的延迟电路的CMOS RESET IC系列。可通过外接电容器设定延迟时间。为保证客户可根据应用进行选择，备有Nch漏极开路输出(BD52Exxx-M)系列和CMOS输出(BD53Exxx-M)系列产品。备有检测电压为2.3V～6.0V的0.1V阶跃的产品阵容。

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BD52E23G-M 数据手册

BD52Exxx-M series BD53Exxx-M series

●Electrical characteristics (Unless Otherwise Specified Ta=-40 to 105°C) - continued

Limit

Typ.

Parameter

Symbol

I_leak

Condition

Unit

µA

Min.

Max.

Leak Current when OFF

VDD=VDS=10V

0.1

VDD

×0.60

VDD

×0.30

VDD

×0.40

VDD=VDET×1.1, VDET=2.3-2.6V, RL=470kΩ

VDD

×0.30

VDD

×0.35

VDD

×0.40

5.5

VDD

×0.45

VDD

×0.50

VDD

×0.50

VDD

×0.60

VDD

×0.60

VDD

×0.60

12.5

VDD=VDET×1.1, VDET=2.7-4.2V, RL=470kΩ

C_Tpin Threshold Voltage

VCTH

VDD=VDET×1.1, VDET=4.3-5.2V, RL=470kΩ

VDD=VDET×1.1, VDET=5.3-6.0V, RL=470kΩ

Output Delay Resistance

C_Tpin Output Current

RCT

ICT

VDD=VDET×1.1 VCT=0.5V

VCT=0.1V VDD=0.95V

VCT=0.5V VDD=1.5V

MΩ

µA

150

240

Detection Voltage

VDET/∆T Ta=-40°C to 105°C

±100

±360 ppm/°C

Temperature coefficient

VDET

Hysteresis Voltage

∆ VDET VDD=LHL, RL=470kΩ

×0.03

×0.05

×0.08

VDET (T) : Standard Detection Voltage (2.3V to 6.0V, 0.1V step)

R_L: Pull-up resistor to be connected between VOUT and power supply.

Design Guarantee. (Outgoing inspection is not done on all products.)

*1 Guarantee is at Ta=25°C.

www.rohm.com

TSZ02201-0R7R0G300090-1-2

17.Jun.2020 Rev.006

4/12

TSZ22111・15・001

1 2 345 6 7...15

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