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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BD250A
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BD250A

更新时间： 2024-11-04 04:09:11
品牌 Logo 应用领域
伯恩斯 - BOURNS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 110K
描述
PNP SILICON POWER TRANSISTORS

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BD250A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.43
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：25 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：5JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

BD250A 数据手册

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BD250, BD250A, BD250B, BD250C  
PNP SILICON POWER TRANSISTORS  
●
Designed for Complementary Use with the  
BD249 Series  
SOT-93 PACKAGE  
(TOP VIEW)  
●
●
●
●
125 W at 25°C CaseTemperature  
25 A Continuous Collector Current  
40 A Peak Collector Current  
B
C
E
1
2
3
Customer-Specified Selections Available  
Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.  
MDTRAAA  
absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted)  
RATING  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
BD250  
-55  
BD250A  
BD250B  
BD250C  
BD250  
-70  
Collector-emitter voltage (RBE = 100 Ω)  
VCER  
V
-90  
-115  
-45  
BD250A  
BD250B  
BD250C  
-60  
Collector-emitter voltage (IC = -30 mA)  
VCEO  
V
-80  
-100  
Emitter-base voltage  
VEBO  
IC  
ICM  
IB  
-5  
V
A
Continuous collector current  
Peak collector current (see Note 1)  
Continuous base current  
-25  
-40  
A
-5  
A
Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature (see Note 2)  
Continuous device dissipation at (or below) 25°C free air temperature (see Note 3)  
Unclamped inductive load energy (see Note 4)  
Ptot  
Ptot  
125  
3
W
W
mJ  
°C  
°C  
°C  
2
½LIC  
90  
Operating junction temperature range  
Tj  
Tstg  
TL  
-65 to +150  
-65 to +150  
250  
Storage temperature range  
Lead temperature 3.2 mm from case for 10 seconds  
NOTES: 1. This value applies for tp ≤ 0.3 ms, duty cycle ≤ 10%.  
2. Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 1 W/°C.  
3. Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 24 mW/°C.  
4. This rating is based on the capability of the transistor to operate safely in a circuit of: L = 20 mH, IB(on) = -0.4 A, RBE = 100 Ω,  
BE(off) = 0, RS = 0.1 Ω, VCC = -20 V.  
V
JUNE 1973 - REVISED SEPTEMBER 2002  
Specifications are subject to change without notice.  
1
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD250A-S BOURNS

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 		Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
BD250B BOURNS

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 		PNP SILICON POWER TRANSISTORS
BD250B SAVANTIC

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 		Silicon PNP Power Transistors
BD250B MOSPEC

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