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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD250B-S | BOURNS |
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Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| BD250C | BOURNS |
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PNP SILICON POWER TRANSISTORS |
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| BD250C | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(25A,125W) |
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| BD250C | POINN |
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PNP SILICON POWER TRANSISTORS |
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| BD250C | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| BD250C | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 100V 25A 3-Pin(3+Tab) SOT-93 |
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| BD250C-S | BOURNS |
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Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| BD250-S | BOURNS |
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暂无描述 |
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| BD253A | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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| BD254 | ETC |
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BD254 - Tranzystor krzemowy du縠j mocy. ma砮j c |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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