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BD244 PDF预览

BD244

更新时间： 2024-01-17 10:55:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关
页数 文件大小 规格书
4页 41K
描述
Medium Power Linear and Switching Applications

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BD244 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.67最大集电极电流 (IC)：6 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：65 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHzBase Number Matches：1

BD244 数据手册

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BD244/A/B/C  
Medium Power Linear and Switching  
Applications  
•
Complement to BD243, BD243A, BD243B and BD243C respectively  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector-Base Voltage  
CBO  
: BD244  
- 45  
- 60  
- 80  
V
V
V
V
: BD244A  
: BD244B  
: BD244C  
- 100  
V
Collector-Emitter Voltage  
CEO  
: BD244  
- 45  
- 60  
- 80  
V
V
V
V
: BD244A  
: BD244B  
: BD244C  
- 100  
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
- 5  
- 6  
V
A
EBO  
I
I
I
C
*Collector Current (Pulse)  
Base Current  
- 10  
A
CP  
B
- 2  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
65  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: BD244  
I = - 30mA, I = 0  
- 45  
- 60  
- 80  
V
V
V
V
C
B
: BD244A  
: BD244B  
: BD244C  
- 100  
I
Collector Cut-off Current : BD244/244A  
: BD244B/244C  
V
= - 30V, I = 0  
- 0.7  
- 0.7  
mA  
mA  
CEO  
CE  
B
V
= - 60V, I = 0  
CE  
B
I
Collector Cut-off Current : BD244  
V
= - 45V, V = 0  
= - 60V, V = 0  
= - 80V, V = 0  
BE  
- 0.4  
- 0.4  
- 0.4  
- 0.4  
mA  
mA  
mA  
mA  
CES  
CE  
BE  
: BD244A  
: BD244B  
: BD244C  
V
CE BE  
V
CE  
V
= - 100V, V = 0  
CE  
BE  
I
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
= - 5V, I = 0  
- 1  
mA  
EBO  
EB  
C
h
V
= - 4V, I = - 0.3A  
30  
15  
FE  
CE  
C
V
= - 4V, I = - 3A  
C
CE  
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter ON Voltage  
I = - 6A, I = - 1A  
- 1.5  
- 2  
V
V
CE  
C
B
V
(on)  
V
= - 4V, I = - 6A  
BE  
CE C  
* Pulse Test: PW =300µs, duty Cycle =2% Pulsed  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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与BD244相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD244-6200 RENESAS

获取价格

 		7A, 45V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD244-6203 RENESAS

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
BD244-6226 RENESAS

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 		7A, 45V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD244-6255 RENESAS

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 		Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
BD244-6258 RENESAS

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 		Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
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 		Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
BD244-6265 RENESAS

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 		7A, 45V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD244A BOURNS

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 		PNP SILICON POWER TRANSISTORS

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