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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BD243BTU
BD243BTU PDF预览

BD243BTU

更新时间： 2024-11-26 13:05:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关
页数 文件大小 规格书
4页 41K
描述
NPN Epitaxial Silicon Transistor, 3LD, TO220, JEDEC, MOLDED, 1000/RAIL

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BD243BTU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：3.99
最大集电极电流 (IC)：6 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：65 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BD243BTU 数据手册

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BD243/A/B/C  
Medium Power Linear and Switching  
Applications  
•
Complement to BD244, BD244A, BD244B and BD244C respectively  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector-Base Voltage  
CBO  
: BD243  
45  
60  
80  
V
V
V
V
: BD243A  
: BD243B  
: BD243C  
100  
V
Collector-Emitter Voltage  
CEO  
: BD243  
45  
60  
80  
V
V
V
V
: BD243A  
: BD243B  
: BD243C  
100  
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
5
V
A
EBO  
I
I
I
6
C
*Collector Current (Pulse)  
Base Current  
10  
A
CP  
B
2
65  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: BD243  
I =30mA, I =0  
45  
60  
80  
V
V
V
V
C
B
: BD243A  
: BD243B  
: BD243C  
100  
I
Collector Cut-off Current : BD243/243A  
: BD243B/243C  
V
V
= 30V, I = 0  
0.7  
0.7  
mA  
mA  
CEO  
CE  
CE  
B
= 60V, I = 0  
B
I
Collector Cut-off Current : BD243  
V
V
V
V
= 45V, V = 0  
0.4  
0.4  
0.4  
0.4  
mA  
mA  
mA  
mA  
CES  
CE  
CE  
CE  
CE  
BE  
: BD243A  
: BD243B  
: BD243C  
= 60V, V = 0  
BE  
= 80V, V = 0  
BE  
= 100V, V = 0  
BE  
I
Emitter Cut-off Current  
*DC Current Gain  
V
= 5V, I = 0  
1
mA  
EBO  
EB  
C
h
V
V
= 4V, I = 0.3A  
30  
15  
FE  
CE  
CE  
C
= 4V, I = 3A  
C
V
(sat)  
*Collector-Emitter Saturation Voltage  
*Base-Emitter ON Voltage  
I = 6A, I = 1A  
1.5  
2
V
V
CE  
C
B
V
(on)  
V
= 4V, I = 6A  
BE  
CE C  
* Pulse Test :PW=300µs, duty Cycle<20% Pulsed  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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BD243BTU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TIP41BTU FAIRCHILD

类似代替

 Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
BD243B ONSEMI

类似代替

 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
BD243A FAIRCHILD

类似代替

 Medium Power Linear and Switching Applications

与BD243BTU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD243BU MOTOROLA

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
BD243BU2 MOTOROLA

获取价格

 		6A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD243BUA MOTOROLA

获取价格

 		6A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD243BW MOTOROLA

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
BD243BWD MOTOROLA

获取价格

 		6A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD243C MOTOROLA

获取价格

 		Complementary Silicon Plastic Power Transistors
BD243C ONSEMI

获取价格

 		POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
BD243C MOSPEC

获取价格

 		POWER TRANSISTORS(6A,65W)
BD243C BOCA

获取价格

 		COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS
BD243C POINN

获取价格

 		NPN SILICON POWER TRANSISTORS

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