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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.66 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 40 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz |
| VCEsat-Max： | 1.2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD242C-DR6269 | RENESAS |
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5A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| BD242C-DR6274 | RENESAS |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BD242C-DR6280 | RENESAS |
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5A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| BD242CDW | ONSEMI |
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3A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
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| BD242CG | ONSEMI |
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Complementary Silicon Plastic Power Transisto |
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| BD242CJ69Z | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BD242CL | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| BD242CN | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BD242CS | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BD242C-S | BOURNS |
获取价格 |
Transistor |
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