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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BD240BTU
BD240BTU PDF预览

BD240BTU

更新时间： 2024-11-05 12:56:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 33K
描述
Medium Power Linear and Switching Applications

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BD240BTU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.29
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：30 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

BD240BTU 数据手册

 浏览型号BD240BTU的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BD240BTU的Datasheet PDF文件第3页 
BD240/A/B/C  
Medium Power Linear and Switching  
Applications  
•
Complement to BD239/A/B/C respectively  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector-Base Voltage  
CEO  
: BD240  
- 45  
- 60  
- 80  
V
V
V
V
: BD240A  
: BD240B  
: BD240C  
- 100  
V
Collector-Emitter Voltage  
CER  
: BD240  
- 55  
- 70  
- 90  
V
V
V
V
: BD240A  
: BD240B  
: BD240C  
- 115  
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
- 5  
- 2  
V
A
EBO  
I
C
I
I
*Collector Current (Pulse)  
Base Current  
- 4  
A
CP  
B
- 0.6  
30  
A
P
Collector Dissipation ( T =25°C)  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: BD240  
I = - 30mA, I = 0  
- 45  
- 60  
- 80  
V
V
V
V
C
B
: BD240A  
: BD240B  
: BD240C  
- 100  
I
Collector Cut-off Current : BD240/A  
: BD240B/C  
V
V
= - 30V, I = 0  
= - 60V, I = 0  
B
- 0.3  
- 0.3  
mA  
mA  
CEO  
CE  
CE  
B
I
Collector Cut-off Current : BD240  
V
V
V
V
= - 45V, V = 0  
- 0.2  
- 0.2  
- 0.2  
- 0.2  
mA  
mA  
mA  
mA  
CES  
CE  
CE  
CE  
CE  
BE  
: BD240A  
: BD240B  
: BD240C  
= - 60V, V = 0  
BE  
= - 80V, V = 0  
BE  
= - 100V, V = 0  
BE  
I
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
= - 5V, I = 0  
- 1  
mA  
EBO  
EB  
C
h
V
V
= - 4V,I = - 0.2A  
40  
15  
FE  
CE  
CE  
C
= - 4V, I = - 1A  
C
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter ON Voltage  
I
= - 1A , I = - 0.2A  
- 0.7  
- 1.3  
V
V
CE  
C
B
V
(on)  
V
= - 4V, I = - 1A  
BE  
CE C  
* Pulse Test: PW=350µs, duty Cycle≤2.0% Pulsed  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
123

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BD240BTU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BD240B FAIRCHILD

完全替代

 Medium Power Linear and Switching Applications
BD240B-S BOURNS

功能相似

 Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti

与BD240BTU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD240BU MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
BD240BU2 MOTOROLA

获取价格

 		2A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD240BUA MOTOROLA

获取价格

 		2A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD240BW MOTOROLA

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