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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BD240B
BD240B PDF预览

BD240B

更新时间： 2024-09-13 22:39:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关
页数 文件大小 规格书
3页 31K
描述
Medium Power Linear and Switching Applications

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BD240B 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.39
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：30 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz

BD240B 数据手册

 浏览型号BD240B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BD240B的Datasheet PDF文件第3页 
BD240/A/B/C  
Medium Power Linear and Switching  
Applications  
•
Complement to BD239/A/B/C respectively  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector-Base Voltage  
CEO  
: BD240  
- 45  
- 60  
- 80  
V
V
V
V
: BD240A  
: BD240B  
: BD240C  
- 100  
V
Collector-Emitter Voltage  
CER  
: BD240  
- 55  
- 70  
- 90  
V
V
V
V
: BD240A  
: BD240B  
: BD240C  
- 115  
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
- 5  
- 2  
V
A
EBO  
I
C
I
I
*Collector Current (Pulse)  
Base Current  
- 4  
A
CP  
B
- 0.6  
30  
A
P
Collector Dissipation ( T =25°C)  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: BD240  
I = - 30mA, I = 0  
- 45  
- 60  
- 80  
V
V
V
V
C
B
: BD240A  
: BD240B  
: BD240C  
- 100  
I
Collector Cut-off Current : BD240/A  
: BD240B/C  
V
V
= - 30V, I = 0  
= - 60V, I = 0  
B
- 0.3  
- 0.3  
mA  
mA  
CEO  
CE  
CE  
B
I
Collector Cut-off Current : BD240  
V
V
V
V
= - 45V, V = 0  
- 0.2  
- 0.2  
- 0.2  
- 0.2  
mA  
mA  
mA  
mA  
CES  
CE  
CE  
CE  
CE  
BE  
: BD240A  
: BD240B  
: BD240C  
= - 60V, V = 0  
BE  
= - 80V, V = 0  
BE  
= - 100V, V = 0  
BE  
I
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
= - 5V, I = 0  
- 1  
mA  
EBO  
EB  
C
h
V
V
= - 4V,I = - 0.2A  
40  
15  
FE  
CE  
CE  
C
= - 4V, I = - 1A  
C
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter ON Voltage  
I
= - 1A , I = - 0.2A  
- 0.7  
- 1.3  
V
V
CE  
C
B
V
(on)  
V
= - 4V, I = - 1A  
BE  
CE C  
* Pulse Test: PW=350µs, duty Cycle≤2.0% Pulsed  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
123

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BD240B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BD240BTU FAIRCHILD

完全替代

 Medium Power Linear and Switching Applications
D45VH10G ONSEMI

功能相似

 Complementary Silicon Power Transistors
D45H11 STMICROELECTRONICS

功能相似

 PNP SILICON POWER TRANSISTORS

与BD240B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD240B16 MOTOROLA

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
BD240B16A MOTOROLA

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
BD240B-6200 RENESAS

获取价格

 		4A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD240B-6203 RENESAS

获取价格

 		4A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD240B-6226 RENESAS

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
BD240B-6255 RENESAS

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 		4A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD240B-6258 RENESAS

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 		4A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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BD240B-6263 RENESAS

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 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
BD240B-6264 RENESAS

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