BD239-S

更新时间： 2024-11-30 13:05:55

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伯恩斯 - BOURNS		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	107K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC, TO-220, FM-3

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BD239-S 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	PLASTIC, TO-220, FM-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.21
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	30 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BD239-S 数据手册

BD239, BD239A, BD239B, BD239C

NPN SILICON POWER TRANSISTORS

●

Designed for Complementary Use with the

BD240 Series

TO-220 PACKAGE

(TOP VIEW)

●

30 W at 25°C Case Temperature

2 A Continuous Collector Current

4 A Peak Collector Current

Customer-Specified Selections Available

Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.

MDTRACA

absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted)

RATING

SYMBOL

VALUE

UNIT

BD239

BD239A

BD239B

BD239C

BD239

Collector-emitter voltage (R_BE= 100 Ω)

V_CER

115

BD239A

BD239B

BD239C

Collector-emitter voltage (I_C= 30 mA)

V_CEO

100

Emitter-base voltage

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Continuous collector current

Peak collector current (see Note 1)

Continuous base current

0.6

Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature (see Note 2)

Continuous device dissipation at (or below) 25°C free air temperature (see Note 3)

Unclamped inductive load energy (see Note 4)

P_tot

°C

½LI_C

Operating junction temperature range

T_j

T_stg

T_L

-65 to +150

250

Storage temperature range

Lead temperature 3.2 mm from case for 10 seconds

NOTES: 1. This value applies for t_p≤ 0.3 ms, duty cycle ≤ 10%.

2. Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 0.24 W/°C.

3. Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 16 mW/°C.

4. This rating is based on the capability of the transistor to operate safely in a circuit of: L = 20 mH, I_B(on)= 0.4 A, R_BE= 100 Ω,

_BE(off)= 0, R_S= 0.1 Ω, V_CC= 20 V.

JUNE 1973 - REVISED SEPTEMBER 2002

Specifications are subject to change without notice.

12 3 4 5

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BD239-S 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BD239TU	FAIRCHILD	功能相似	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
BD239	BOURNS	功能相似	NPN SILICON POWER TRANSISTORS

与BD239-S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BD239TU	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
BD23B	BEREX	获取价格	Dual Band 2-Way SMT Power Divider
BD23B_1	BEREX	获取价格	Dual Band 2-Way SMT Power Divider
BD23TD2WNVX	ROHM	获取价格	Fixed Positive LDO Regulator, 2.3V, CMOS, PDSO4, 1 X 1 MM, 0.60 MM PITCH, ROHS COMPLIANT,
BD23TD2WNVX-TL	ROHM	获取价格	Fixed Positive LDO Regulator, 2.3V, CMOS, PDSO4, 1 X 1 MM, 0.60 MM PITCH, ROHS COMPLIANT,
BD24	AMPHENOL	获取价格	Interconnection Device
BD240	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
BD240	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
BD240	POINN	获取价格	PNP SILICON POWER TRANSISTORS
BD240	TRSYS	获取价格	PNP SILICON POWER TRANSISTORS

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