5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.57 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BD1776STU | FAIRCHILD | Transistor |
获取价格 |
|
| BD177LEADFREE | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
获取价格 |
|
| BD178 | SAMSUNG | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
获取价格 |
|
| BD178 | CDIL | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
获取价格 |
|
| BD178 | FAIRCHILD | Medium Power Linear and Switching Applications |
获取价格 |
|
| BD178 | ISC | Silicon PNP Power Transistors |
获取价格 |
|
SG3525资料手册详解：SG3525参数分析、引脚说明、应用介绍
AT89C51单片机资料手册详细解析及应用示例
CP2102资料手册解读：CP2102引脚说明、关键参数分析
资料手册解读：UC3842参数和管脚说明
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
