BD179

更新时间： 2024-02-09 23:01:19

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管功率双极晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	110K
描述
POWER TRANSISTORS NPN SILICON

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BD179 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.19	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

BD179 数据手册

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by BD179/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

3.0 AMPERES

POWER TRANSISTORS

NPN SILICON

. . . designed for use in 5.0 to 10 Watt audio amplifiers and drivers utilizing

complementary or quasi complementary circuits.

•

DC Current Gain — h = 40 (Min) @ I = 0.15 Adc

FE C

BD179 is complementary with BD180

80 VOLTS

30 WATTS

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Adc

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Collector Current

CEO

CBO

EBO

5.0

3.0

1.0

Base Current

Total Device Dissipation @ T = 25 C

Derate above 25 C

240

Watts

mw/ C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

–65 to +150

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

CASE 77–08

TO–225AA TYPE

Symbol

Max

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

4.16

C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

Collector–Emitter Sustaining Voltage*

—

Vdc

(BR)CEO

(I = 0.1 Adc, I = 0)

Collector Cutoff Current

(V = 80 Vdc, I = 0)

—

0.1

1.0

mAdc

CBO

Emitter Cutoff Current

(V = 5.0 Vdc, I = 0)

EBO

DC Current Gain

(I = 0.15 A, V

= 2.0 V)

BD179–10

ALL

160

—

= 2.0 V)

(I = 1.0 A, V

Collector–Emitter Saturation Voltage*

(I = 1.0 Adc, I = 0.1 Adc)

—

0.8

1.3

—

Vdc

MHz

CE(sat)

Base–Emitter On Voltage*

(I = 1.0 Adc, V = 2.0 Vdc)

BE(on)

—

Current–Gain – Bandwidth Product

3.0

(I = 250 mAdc, V

= 10 Vdc, f = 1.0 MHz)

300 As, Duty Cycle

* Pulse Test: Pulse Width

2.0%.

REV 7

M^Mo^oto^tor^ro^ol^laa^{, I}B^ncip^{. 1}o⁹la⁹⁵r Power Transistor Device Data

12 3 4

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BD179 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BD179G	ONSEMI	完全替代	Plastic Medium-Power NPN Silicon Transistor
BD179	CDIL	功能相似	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
BD179	STMICROELECTRONICS	功能相似	NPN SILICON TRANSISTOR

与BD179相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BD179/D	ETC	获取价格	Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor
BD179_00	STMICROELECTRONICS	获取价格	NPN SILICON TRANSISTOR
BD179_07	STMICROELECTRONICS	获取价格	NPN power transistor
BD17910	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
BD179-10	FAIRCHILD	获取价格	3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
BD179-10	MOTOROLA	获取价格	Plastic Medium Power Silicon NPNP Transistor
BD179-10	ONSEMI	获取价格	POWER TRANSISTORS NPN SILICON
BD17910STU	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
BD17910STU	ONSEMI	获取价格	3.0 A, 80 V Medium Power NPN Bipolar Power Transistor
BD17916	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/

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