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BCX51 PDF预览

BCX51

更新时间： 2024-01-26 19:05:52
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美微科 - MCC 晶体晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 222K
描述
PNP Plastic-Encapsulate Transistors

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BCX51 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.57外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JESD-30 代码：R-PSSO-F3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

BCX51 数据手册

 浏览型号BCX51的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
BCX51  
BCX51-10  
BCX51-16  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
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$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
PNP  
ꢀꢁ Power Dissipation: PCM=0.5W (Tamb=25R)  
ꢀꢁ Collector Current: ICM=-1.0A  
ꢀꢁ Collector-Base Voltage: V(BR)CBO=-45V  
ꢀꢁ Marking Code: BCX51=AA, BCX51-10=AC, BCX51-16=AD  
Plastic-Encapsulate  
ꢀ
Transistors  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
·
Moisure Sensitivity Level 1  
Maximum Ratings  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Symbol  
Rating  
Value  
-45  
Unit  
V
V
SOT-89  
ꢀ
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
ꢀ
-45  
ꢀ
ꢀ
A
V(BR)EBO  
IC  
K
ꢀ
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Current DC  
-5  
-1.0  
V
A
B
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
PC  
TJ  
TSTG  
Collector Power Dissipation  
Junction TemperatureRange  
Storage Temperature  
Range  
0.5  
-55 to +150  
-55 to +150  
W
OC  
OC  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
E
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Electrical Characteristics @ 25ꢂC Unless Otherwise Specified  
Max Units  
C
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
D
ꢀ
ꢀ
OFF CHARACTERISTICS  
ꢀ
ꢀ
G
H
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=-100uA, IE=0)  
V(BR)CBO  
-45  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
V
V
J
ꢀ
ꢀ
F
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=-1mA, IB=0)  
ꢀ
ꢀ
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
-45  
-5  
ꢀ
ꢀ
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=10uA, IC=0)  
V
ꢀ
ꢀ
ICBO  
IEBO  
Collector Cutoff Current  
(VCB=-30V, IE=0)  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=-5.0V, IC=0)  
ꢀ
ꢀ
uA  
---  
---  
---  
---  
-0.1  
-0.1  
B
ꢀ
ꢀ
E
C
uA  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
hFE(1)  
DC Current Gain  
(VCE=-2.0V, IC=-150mA)  
BCX51  
ꢀ
ꢀ
63  
63  
100  
---  
---  
---  
250  
160  
250  
---  
ꢀ
BCX51-10  
BCX51-16  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢁꢄꢅꢆ  
hFE(2)  
hFE(3)  
VCE(sat)  
VBE(on)  
fT  
DC Current Gain  
(VCE=2.0V, IC=-5.0mA)  
DC Current Gain  
ꢀ
63  
40  
---  
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1.55  
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ꢉꢆ  
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(VCE=-2.0V, IC=-500mA)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-500mA,IB=-50mA)  
Base-Emitter Voltage  
(IC=-500mA, VCE=-2.0V)  
Transition Frequency  
(VCE=-5V, IC=-10mA,  
f=100MHz)  
.061  
ꢇꢇꢇꢇꢇ  
REF.  
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ꢎꢍꢕꢕꢆ  
ꢘꢍꢗꢒꢆ  
ꢚꢚꢚꢚꢚꢆ  
-0.5  
-1  
V
V
---  
---  
---  
ꢆ
ꢆ
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---  
ꢕꢍꢒꢑꢆ  
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ꢎꢍꢔꢕꢆ  
ꢆ
ꢆ
ꢆ
ꢆ
50  
---  
MHz  
 ꢆ  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: A  
2011/01/01  
12

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与BCX51相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
BCX51,115 ETC TRANS PNP 45V 1A SOT89

获取价格
BCX51_10 CENTRAL SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR

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BCX51_15 WINNERJOIN PNP TRANSISTOR

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BCX5110 DIODES PNP, 45V, 1A, SOT89

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BCX51-10 TYSEMI High current (max. 1 A). Low voltage (max. 80 V). Emitter-base voltage VEBO -5 V

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BCX51-10 KEXIN PNP Medium Power Transistors

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