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BCW69

更新时间： 2024-02-13 23:37:15

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7页	312K
描述
PNP general purpose transistorsProduction

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BCW69 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.15	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
VCEsat-Max：	0.3 V	Base Number Matches：	1

BCW69 数据手册

NXP Semiconductors

Product data sheet

PNP general purpose transistors

BCW69; BCW70

FEATURES

PINNING

• Low current (max. 100 mA)

• Low voltage (max. 45 V).

DESCRIPTION

base

emitter

collector

APPLICATIONS

• General purpose switching and amplification.

DESCRIPTION

PNP transistor in a SOT23 plastic package.

NPN complements: BCW71 and BCW72.

handbook, halfpage

MARKING

TYPE NUMBER

BCW69

MARKING CODE⁽¹⁾

H1*

H2*

BCW70

Top view

MAM256

Note

1. * = p : Made in Hong Kong.

* = t : Made in Malaysia.

* = W : Made in China.

Fig.1 Simplified outline (SOT23) and symbol.

ORDERING INFORMATION

TYPE

PACKAGE

DESCRIPTION

plastic surface mounted package; 3 leads

NUMBER

NAME

VERSION

BCW69

BCW70

−

SOT23

LIMITING VALUES

In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).

SYMBOL

V_CBO

PARAMETER

CONDITIONS

open emitter

MIN.

MAX.

UNIT

collector-base voltage

collector-emitter voltage

emitter-base voltage

collector current (DC)

peak collector current

peak base current

−

−50

V_CEO

V_EBO

I_C

open base; I_C= −2 mA

−45

open collector

−5

−100

−200

250

°C

I_CM

I_BM

P_tot

T_stg

T_j

total power dissipation

storage temperature

junction temperature

operating ambient temperature

T_amb≤ 25 °C

−65

−

+150

150

T_amb

−65

+150

2004 Feb 06

1 234 5 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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