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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.4 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.8 A | 集电极-发射极最大电压： | 45 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | CECC50002-234 | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 400 ns | 最大开启时间（吨）： | 100 ns |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCW68GRTC | DIODES |
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暂无描述 |
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| BCW68GS62Z | TI |
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800mA, 45V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
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| BCW68G-T | RECTRON |
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Transistor |
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| BCW68GT116 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BCW68GT117 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BCW68GT216 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOL |
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| BCW68GTA | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
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| BCW68GTC | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
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| BCW68GTR | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| BCW68GTR13 | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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