BCW68F-DF

更新时间： 2024-02-20 13:38:27

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SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS

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BCW68F-DF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.09	基于收集器的最大容量：	6 pF
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	VCEsat-Max：	0.7 V
Base Number Matches：	1

BCW68F-DF 数据手册

PART OBSOLETE - USE BCW68H

SOT23 PNP SILICON PLANAR

BCW67

BCW68

MEDIUM POWER TRANSISTORS

ISSUE 4 - JUNE 1996

PARTMARKING DETAILS

BCW67A DA

BCW67B DB

BCW67C DC

BCW68F DF

BCW68G DG

BCW68H DH

BCW67AR 4W

BCW67BR 5W

BCW67CR 6W

BCW68FR 7T

BCW68GR 5T

BCW68HR 7N

COMPLEMENTARY TYPES

BCW67 BCW65

SOT23

BCW68 BCW66

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CES

V_CEO

V_EBO

I_CM

BCW67

-45

BCW68

-60

UNIT

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-32

-45

-5

Peak Pulse Current(10ms)

Continuous Collector Current

Base Current

-1000

-800

-100

330

°C

I_C

I_B

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

T_j:T_stg

-55 to +150

3 - 29

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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