5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.03 | 基于收集器的最大容量： | 6 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 45 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN (315) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | VCEsat-Max： | 0.7 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCW68FTRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| BCW68G | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon AF Transistors (For general AF applications High current gain) |
|
| BCW68G | ZETEX |
获取价格 |
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
|
| BCW68G | DIOTEC |
获取价格 |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
|
| BCW68G | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
|
| BCW68G | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOL |
|
| BCW68G | WINNERJOIN |
获取价格 |
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
|
| BCW68G | NEXPERIA |
获取价格 |
45 V, 800 mA PNP general-purpose transistorProduction |
|
| BCW68G | ONSEMI |
获取价格 |
PNP 通用放大器 |
|
| BCW68G | RECTRON |
获取价格 |
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(PNP) |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
