5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.6 |
| Is Samacsys： | N | 基于收集器的最大容量： | 18 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 32 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 160 | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | VCEsat-Max： | 0.7 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCW67BLR | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, MICRO MINIATURE PACKAGE-3, BIP Gene |
|
| BCW67BLR | ALLEGRO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, PNP |
|
| BCW67BLT | ALLEGRO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB |
|
| BCW67BLX | ALLEGRO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB |
|
| BCW67BR | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236 |
|
| BCW67BR-5W | DIODES |
获取价格 |
SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
|
| BCW67BRL | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, TO-236AB, 3 PIN, BIP General Purpose Small S |
|
| BCW67BRLK | ALLEGRO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB |
|
| BCW67BRLO | ALLEGRO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB |
|
| BCW67BRLT | ALLEGRO |
获取价格 |
暂无描述 |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
