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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.03 | 基于收集器的最大容量： | 6 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 32 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 160 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN (315) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | VCEsat-Max： | 0.7 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCW67C | INFINEON |
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PNP Silicon AF Transistors (For general AF applications High current gain) |
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| BCW67C | DIOTEC |
获取价格 |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
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| BCW67C | CENTRAL |
获取价格 |
SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR |
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| BCW67C | BL Galaxy Electrical |
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32V,0.8A,General Purpose PNP Bipolar Transistor |
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| BCW67-C | INFINEON |
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1000mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| BCW67CBK | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| BCW67CBKLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| BCW67C-DC | DIODES |
获取价格 |
SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
|
| BCW67CE6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BCW67CE6327HTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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