BCW30

更新时间： 2024-01-23 15:51:02

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	46K
描述
PNP general purpose transistors

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BCW30 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.07	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	基于收集器的最大容量：	4.5 pF
集电极-发射极最大电压：	32 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	215	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	VCEsat-Max：	0.3 V
Base Number Matches：	1

BCW30 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

PNP general purpose transistors

BCW29; BCW30

PACKAGE OUTLINE

Plastic surface mounted package; 3 leads

SOT23

w M

detail X

2 mm

scale

DIMENSIONS (mm are the original dimensions)

UNIT

max.

1.1

0.9

0.48

0.38

0.15

0.09

3.0

2.8

1.4

1.2

2.5

2.1

0.45

0.15

0.55

0.45

0.1

1.9

0.95

0.2

0.1

REFERENCES

JEDEC

EUROPEAN

PROJECTION

OUTLINE

VERSION

ISSUE DATE

IEC

EIAJ

97-02-28

SOT23

1999 Apr 13

1 2 345 6 7 8

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与BCW30相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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BCW30/T4	NXP	TRANSISTOR 100 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI	获取价格
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