BCW30

更新时间： 2024-01-06 17:43:09

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	46K
描述
PNP general purpose transistors

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BCW30 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.07	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	基于收集器的最大容量：	4.5 pF
集电极-发射极最大电压：	32 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	215	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	VCEsat-Max：	0.3 V
Base Number Matches：	1

BCW30 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

PNP general purpose transistors

BCW29; BCW30

FEATURES

PINNING

• Low current (max. 100 mA)

• Low voltage (max. 32 V).

DESCRIPTION

base

emitter

collector

APPLICATIONS

• General purpose switching and amplification.

DESCRIPTION

handbook, halfpage

PNP transistor in a SOT23 plastic package.

NPN complements: BCW31 and BCW32.

MARKING

TYPE NUMBER

BCW29

MARKING CODE⁽¹⁾

Top view

MAM256

BCW30

Note

= p : Made in Hong Kong.

= t : Made in Malaysia.

Fig.1 Simplified outline SOT23 and symbol.

LIMITING VALUES

In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).

SYMBOL

PARAMETER

collector-base voltage

CONDITIONS

open emitter

MIN.

MAX.

−32

UNIT

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

−

collector-emitter voltage

emitter-base voltage

collector current (DC)

peak collector current

peak base current

open base; I_C= −2 mA

−32

open collector

−5

−100

−200

250

°C

I_CM

I_BM

P_tot

T_stg

T_j

total power dissipation

storage temperature

junction temperature

operating ambient temperature

T_amb≤ 25 °C

−65

−

+150

150

°C

T_amb

−65

+150

°C

1999 Apr 13

123 4 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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