BCW30

更新时间： 2024-02-18 21:36:48

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	46K
描述
PNP general purpose transistors

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BCW30 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.07	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	基于收集器的最大容量：	4.5 pF
集电极-发射极最大电压：	32 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	215	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	VCEsat-Max：	0.3 V
Base Number Matches：	1

BCW30 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

PNP general purpose transistors

BCW29; BCW30

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

note 1

VALUE

UNIT

R_{th j-a}

thermal resistance from junction to ambient

500

K/W

Note

1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.

CHARACTERISTICS

T_j= 25 °C unless otherwise speciﬁed.

SYMBOL

I_CBO

PARAMETER

CONDITIONS

I_E= 0; V_CB= −32 V

MIN. TYP. MAX. UNIT

collector cut-off current

−

−100 nA

−10 µA

I_E= 0; V_CB= −32 V; T_j= 100 °C

I_C= 0; V_EB= −5 V

I_EBO

h_FE

emitter cut-off current

DC current gain

BCW29

−100 nA

I_C= −10 µA; V_CE= −5 V

−

BCW30

150

DC current gain

BCW29

I_C= −2 mA; V_CE= −5 V

120

215

−

260

BCW30

−

500

V_CEsat

collector-emitter saturation

voltage

I_C= −10 mA; I_B= −0.5 mA

I_C= −50 mA; I_B= −2.5 mA

I_C= −10 mA; I_B= −0.5 mA

I_C= −50 mA; I_B= −2.5 mA

I_C= −2 mA; V_CE= −5 V

−80

−150

−720

−810

−

−300 mV

−

V_BEsat

base-emitter saturation voltage

−

V_BE

C_c

f_T

base-emitter voltage

collector capacitance

transition frequency

noise ﬁgure

−600

−

−750 mV

I_E= i_e= 0; V_CB= −10 V; f = 1 MHz

4.5

−

I_C= −10 mA; V_CE= −5 V; f = 100 MHz 100

−

MHz

I_C= −200 µA; V_CE= −5 V; R_S= 2 kΩ;

−

f = 1 kHz; B = 200 Hz

1999 Apr 13

1 234 5 6 7 8

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