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BCR10PNH6727XTSA1

更新时间: 2024-02-20 10:00:46
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英飞凌 - INFINEON 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 528K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, SOT-363, 6 PIN

BCR10PNH6727XTSA1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:End Of Life包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code:compliantFactory Lead Time:1 week
风险等级:5.76其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):30
JESD-30 代码:R-PDSO-G6元件数量:2
端子数量:6封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN AND PNP
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):130 MHzBase Number Matches:1

BCR10PNH6727XTSA1 数据手册

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BCR10PN  
NPN Type  
DC Current Gain h = f (I )  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
FE  
C
V
= 5V (common emitter configuration)  
V
= f (I ), h = 20  
CE  
CEsat  
C
FE  
10 3  
0.5  
V
-40 °C  
-25 °C  
25 °C  
85 °C  
125 °C  
0.4  
0.35  
0.3  
10 2  
0.25  
0.2  
-40 °C  
-25 °C  
25 °C  
85 °C  
125 °C  
10 1  
0.15  
0.1  
0.05  
0
10 0  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 -1  
10 -3  
10 -2  
10 -1  
A
A
I
I
C
C
Input on Voltage V  
= f (I )  
Input off voltage V  
= f (I )  
i(on)  
C
i(off) C  
V
= 0.3V (common emitter configuration)  
V
= 5V (common emitter configuration)  
CE  
CE  
10 1  
10 2  
V
-40 °C  
-25 °C  
25 °C  
85 °C  
V
125 °C  
10 1  
-40 °C  
-25 °C  
25 °C  
85 °C  
125 °C  
10 0  
10 0  
10 -1  
10 -1  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 -1  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 -1  
A
A
I
I
C
C
2011-09-22  
3

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