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BCR10PN

更新时间： 2024-02-25 20:08:22

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英飞凌 - INFINEON		开关驱动
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5页	67K
描述
NPN/PNP Silicon Digital Tansistor Array (Switching circuit, inverter, interface circuit, drive circuit)

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BCR10PN 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.42	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN AND PNP
功耗环境最大值：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	130 MHz
VCEsat-Max：	0.3 V	Base Number Matches：	1

BCR10PN 数据手册

BCR 10PN

NPN/PNP Silicon Digital Tansistor Array

• Switching circuit, inverter, interface circuit,

drive circuit

• Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP

Transistor in one package

Ω

• Built in bias resistor (R =10k , R =10k )

Tape loading orientation

Type

Marking Ordering Code Pin Configuration

Package

BCR 10PN W1s

Q62702-C2411 1=E1 2= B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT-363

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Input on Voltage

CEO

CBO

EBO

i(on)

DC collector current

100

°C

Total power dissipation, T = 115°C

250

tot

Junction temperature

Storage temperature

150

- 65 ... + 150

stg

Thermal Resistance

≤

Junction ambient

275

K/W

thJA

Junction - soldering point

≤ 140

thJS

1) Package mounted on pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 0.5cm²Cu

Semiconductor Group

Nov-26-1996

12 3 4 5

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