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BCR08PNH6433XTMA1

更新时间： 2024-01-02 19:17:33

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英飞凌 - INFINEON		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	528K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, SOT-363, 6 PIN

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BCR08PNH6433XTMA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	End Of Life
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	5.75
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1	最大集电极电流 (IC)：	0.07 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	70	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	2	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN AND PNP
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BCR08PNH6433XTMA1 数据手册

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BCR08PN

PNP Type

DC Current Gain h = f (I )

Collector-Emitter Saturation Voltage

= 5V (common emitter configuration)

= f (I ), I /I = 20

CEsat C C B

10 ³

0.5

0.4

0.35

0.3

10 ²

0.25

0.2

-40 °C

-25 °C

25 °C

85 °C

125 °C

10 ¹

-40 °C

0.15

0.1

-25 °C

25 °C

85 °C

125 °C

0.05

10 ⁰

10 ^-4

10 ^-3

10 ^-2

10 ^-1

10 ^-3

10 ^-2

10 ^-1

Input on Voltage V

= f (I )

Input off voltage V

= f (I )

i(on)

i(off) C

= 0.3V (common emitter configuration)

= 5V (common emitter configuration)

10 ¹

-40 °C

-25 °C

25 °C

85 °C

125 °C

-40 °C

-25 °C

25 °C

85 °C

125 °C

10 ⁰

10 ^-1

10 ^-5

10 ^-4

10 ^-3

10 ^-2

10 ^-1

10 ^-5

10 ^-4

10 ^-3

10 ^-2

10 ^-1

2011-07-28

1 2 345 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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BCR10	INFINEON	NPN/PNP Silicon Digital Tansistor Array (Switching circuit, inverter, interface circuit, d	获取价格
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BCR10001CCASWS	VISHAY	Fixed Resistor, Thin Film, 0.25W, 10000ohm, 75V, 0.25% +/-Tol, 50ppm/Cel, Surface Mount, 0	获取价格
BCR10001FCASWS	VISHAY	Fixed Resistor, Thin Film, 0.25W, 10000ohm, 75V, 1% +/-Tol, 50ppm/Cel, Surface Mount, 0202	获取价格
BCR10001FMAHWS	VISHAY	RES SMD 10K OHM 1% 1/4W 0202	获取价格