BCR101L3

更新时间： 2024-09-25 22:27:23

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英飞凌 - INFINEON		晶体小信号双极晶体管开关
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NPN Silicon Digital Transistor

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BCR101L3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSLP-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	70	JESD-30 代码：	R-XBCC-N3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BCR101L3 数据手册

BCR101...

NPN Silicon Digital Transistor

• Switching circuit, inverter, interface circuit,

driver circuit

• Built in bias resistor (R = 100kΩ , R = 100kΩ )

BCR101F/L3

BCR101T

R₁

R₂

EHA07184

Type

Marking

UCs

Pin Configuration

Package

BCR101F*

BCR101L3*

BCR101T*

1=B

2=E 3=C

TSFP-3

TSLP-3-4

SC75

UCs

*Preliminary

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Input on voltage

CEO

CBO

EBO

i(on)

Collector current

Total power dissipation-

tot

BCR101F, T ≤ 128°C

250

BCR101L3, T ≤ 135°C

BCR101T, T ≤ 109°C

150

°C

Junction temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

Nov-27-2003

12 3 4 5 6

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