BCR08AS-8

更新时间： 2024-01-15 16:24:45

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三菱 - MITSUBISHI		栅极触发装置三端双向交流开关局域网
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5页	104K
描述
LOW POWER USE NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE

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BCR08AS-8 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
外壳连接：	MAIN TERMINAL 2	配置：	SINGLE
换向电压的临界上升率-最小值：	2 V/us	最大直流栅极触发电流：	5 mA
最大直流栅极触发电压：	2 V	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
最大漏电流：	1 mA	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	0.8 A
断态重复峰值电压：	400 V	子类别：	TRIACs
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	触发设备类型：	4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches：	1

BCR08AS-8 数据手册

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR TRIAC

BCR08AS-8

LOW POWER USE

NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE

GATE TRIGGER CURRENT VS.

JUNCTION TEMPERATURE

10³

GATE CHARACTERISTICS

10²

TYPICAL EXAMPLE

VGM = 10V

FGT III

FGT I IRGT III IRGT I

PGM = 1W

10¹

G(AV)

= 0.1W

10²

VGT

10⁰

GM = 1A

FGT I

RGT I, IRGT III

FGT III

VGD = 0.2V

10^–1

10¹

10⁰2 3 5 7 10¹2 3 5 7 10²2 3 5 7 10³

–60–40–20 0 20 40 60 80 100120140

GATE CURRENT (mA)

JUNCTION TEMPERATURE (°C)

MAXIMUM TRANSIENT THERMAL

IMPEDANCE CHARACTERISTICS

10²2 3 5 7 10³2 3 5 7 10⁴2 3 5 7 10⁵

GATE TRIGGER VOLTAGE VS.

JUNCTION TEMPERATURE

10³

TYPICAL EXAMPLE

10²

JUNCTION TO AMBIENT

JUNCTION TO CASE

VFGT I

FGT III

10²

VRGT I VRGT III

10¹

10⁰

10^–12 3 5 7 10⁰2 3 5 7 10¹2 3 5 7 10²

–60–40–20 0 20 40 60 80 100120140

JUNCTION TEMPERATURE (°C)

CONDUCTION TIME

(CYCLES AT 60Hz)

MAXIMUM ON-STATE POWER

DISSIPATION

ALLOWABLE CASE TEMPERATURE

VS. RMS ON-STATE CURRENT

2.0

160

CURVES APPLY REGARDLESS

OF CONDUCTION ANGLE

NATURAL CONVECTION

RESISTIVE,

140

120

100

1.6

1.2

0.8

0.4

INDUCTIVE

LOADS

360°

CONDUCTION

RESISTIVE,

INDUCTIVE

LOADS

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6

RMS ON-STATE CURRENT (A)

Feb.1999

1 234 5

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