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BCR08AS-8

更新时间： 2024-02-09 12:55:48
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 栅极触发装置三端双向交流开关局域网
页数 文件大小 规格书
5页 104K
描述
LOW POWER USE NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE

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BCR08AS-8 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.84Is Samacsys：N
外壳连接：MAIN TERMINAL 2配置：SINGLE
换向电压的临界上升率-最小值：2 V/us最大直流栅极触发电流：5 mA
最大直流栅极触发电压：2 VJESD-30 代码：R-PSSO-F3
最大漏电流：1 mA元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：0.8 A
断态重复峰值电压：400 V子类别：TRIACs
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches：1

BCR08AS-8 数据手册

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MITSUBISHI SEMICONDUCTOR TRIAC  
BCR08AS-8  
LOW POWER USE  
NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE  
REPETITIVE PEAK OFF-STATE  
CURRENT VS. JUNCTION  
TEMPERATURE  
HOLDING CURRENT VS.  
JUNCTION TEMPERATURE  
105  
7
5
102  
7
5
TYPICAL EXAMPLE  
3
2
3
2
DISTRIBUTION  
TYPICAL EXAMPLE  
104  
7
5
101  
7
5
3
2
3
2
103  
7
5
100  
7
5
3
2
3
2
102  
10–1  
–60–40–20 0 20 40 60 80 100120140  
–60–40–20 0 20 40 60 80 100120140  
JUNCTION TEMPERATURE (°C)  
JUNCTION TEMPERATURE (°C)  
LACHING CURRENT VS.  
JUNCTION TEMPERATURE  
BREAKOVER VOLTAGE VS.  
JUNCTION TEMPERATURE  
102  
160  
7
5
TYPICAL EXAMPLE  
DISTRIBUTION  
T+  
TYPICAL EXAMPLE  
140  
120  
100  
80  
2
, G–  
3
2
101  
7
5
3
2
60  
100  
7
40  
5
T+  
T–  
T–  
2
, G+  
, G–  
, G+  
3
2
TYPICAL  
EXAMPLE  
20  
2
2
10–1  
0
–40  
0
40  
80  
120  
160  
–60–40–20 0 20 40 60 80 100120140  
JUNCTION TEMPERATURE (°C)  
JUNCTION TEMPERATURE (°C)  
BREAKOVER VOLTAGE VS.  
RATE OF RISE OF  
OFF-STATE VOLTAGE  
COMMUTATION CHARACTERISTICS  
102  
160  
140  
120  
100  
80  
VOLTAGE WAVEFORM  
TYPICAL EXAMPLE  
7
5
TYPICAL  
EXAMPLE  
t
Tj = 125°C  
VD  
(dv/dt)  
C
3
2
T
j
= 125°C  
CURRENT WAVEFORM  
I
T = 1A  
(di/dt)  
C
101  
7
5
3
2
I
T
τ = 500µs  
= 200V  
I QUADRANT  
τ
VD  
t
f = 3Hz  
III QUADRANT  
60  
100  
7
5
3
2
III QUADRANT  
MINIMUM  
CHARAC-  
TERISTICS  
VALUE  
40  
I QUADRANT  
20  
10–1  
0
100 2 3 5 7 101 2 3 5 7 102 2 3 5 7 103  
10–1 2 3 5 7 100 2 3 5 7 101 2 3 5 7 102  
RATE OF RISE OF OFF-STATE VOLTAGE (V/µs)  
RATE OF DECAY OF ON-STATE  
COMMUTATING CURRENT (A/ms)  
Feb.1999  
12345

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