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BCR08AS-8

更新时间: 2024-01-28 16:08:02
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三菱 - MITSUBISHI 栅极触发装置三端双向交流开关局域网
页数 文件大小 规格书
5页 104K
描述
LOW POWER USE NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE

BCR08AS-8 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.84Is Samacsys:N
外壳连接:MAIN TERMINAL 2配置:SINGLE
换向电压的临界上升率-最小值:2 V/us最大直流栅极触发电流:5 mA
最大直流栅极触发电压:2 VJESD-30 代码:R-PSSO-F3
最大漏电流:1 mA元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:0.8 A
断态重复峰值电压:400 V子类别:TRIACs
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE触发设备类型:4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches:1

BCR08AS-8 数据手册

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MITSUBISHI SEMICONDUCTOR TRIAC  
BCR08AS-8  
LOW POWER USE  
NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE  
GATE TRIGGER CURRENT VS.  
GATE CURRENT PULSE WIDTH  
GATE TRIGGER CHARACTERISTICS  
TEST CIRCUITS  
103  
7
TYPICAL EXAMPLE  
6  
6Ω  
5
4
3
A
A
2
6V  
6V  
R
G
RG  
V
V
102  
7
5
4
TEST PROCEDURE 1 TEST PROCEDURE 2  
66Ω  
I
RGT I  
I
I
RGT III  
FGT III  
IFGT I  
3
2
101  
A
A
6V  
6V  
100  
2
3 4 5 7 101  
2
3 4 5 7 102  
RG  
RG  
V
V
GATE CURRENT PULSE WIDTH (µs)  
TEST PROCEDURE 3 TEST PROCEDURE 4  
Feb.1999  

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