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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.04 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 45 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 130 MHz | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCP55-10 | NXP |
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NPN medium power transistors |
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| BCP55-10 | INFINEON |
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NPN Silicon AF Transistors (For AF driver and output stages High collector current) |
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| BCP55-10 | TYSEMI |
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High collector current 1.3 W power dissipation. emitter-base voltage VEBO 5 V |
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| BCP55-10 | NEXPERIA |
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60 V, 1 A NPN medium power transistorsProduction |
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| BCP55-10,115 | NXP |
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60 V, 1 A NPN medium power transistor SC-73 4-Pin |
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| BCP55-10E6327 | INFINEON |
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Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin |
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| BCP55-10E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin |
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| BCP55-10-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 1 A NPN medium power transistorsProduction |
|
| BCP55-10T | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 1 A NPN medium power transistorsProduction |
|
| BCP55-10T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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