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BCP55-10

更新时间： 2024-01-01 14:25:10

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TYSEMI		IOT
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2页	168K
描述
High collector current 1.3 W power dissipation. emitter-base voltage VEBO 5 V

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BCP55-10 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	unknown	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	5.08	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	63	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BCP55-10 数据手册

SMD Type

TransistIoCrs

Product specification

BCP54; BCP55; BCP56

SOT-223

Unit: mm

+0.2

3.50

-0.2

+0.2

6.50

-0.2

Features

High collector current

1.3 W power dissipation.

+0.2

0.90

-0.2

+0.1

3.00

-0.1

+0.3

7.00

-0.3

1 base

+0.1

0.70

-0.1

2.9

2 collector

3 emitter

4.6

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Symbol

V^CBO

Rating

Unit

collector-base voltage

BCP54

BCP55

BCP56

BCP54

BCP55

BCP56

100

collector-emitter voltage

V^CEO

emitter-base voltage

collector current (DC)

peak collector current

peak base current

V^EBO

I^C

1.5

I^CM

I^BM

P^tot

Tstg

0.2

total power dissipation

storage temperature

junction temperature

operating ambient temperature

1.33

-65 to +150

150

T^j

T^amb

R^{th j-a}

R^{th j-s}

-65 to +150

thermal resistance from junction to ambient

K/W

thermal resistance from junction to soldering point

4008-318-123

http://www.twtysemi.com

1 of 2

sales@twtysemi.com

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