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BC868-25

更新时间： 2024-10-14 20:16:47
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 16K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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BC868-25 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.17Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：160JESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：60 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

BC868-25 数据手册

  
SOT89 NPN SILICON PLANAR  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
BC868  
ISSUE 4 - OCTOBER 1995  
✪
FEATURES  
*
SUITABLE FOR GENERAL AF APPLICATIONS AND  
C
CLASS B AUDIO OUTPUT STAGES UPTO 3W  
HIGH hFE AND LOW SATURATION VOLTAGE  
*
COMPLEMENTARY TYPE -  
PARTMARKING DETAILS–  
BC869  
E
C
BC868  
- CAC  
B
BC868-16 - CCC  
BC868-25 - CDC  
SOT89  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
25  
Collector-Em itter Voltage  
20  
V
Em itter-Base Voltage  
5
V
Peak Pulse Current  
2
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tam b =25°C  
Operating and Storage Tem perature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
IC  
1
A
Ptot  
1
W
°C  
Tj:Tstg  
-65 to +150  
= 25°C unless otherw ise stated).  
am b  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
V
CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
25  
20  
5
IC=100µA  
Collector-Em itter  
Breakdown Voltage  
V
V
IC=10m A*  
IE=10µA  
Em itter-Base  
Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off  
Current  
10  
1
VCB = 25V  
µA  
m A  
o
VCB = 25V,Tam b =150 C  
Em itter Cut-Off Current  
IEBO  
10  
VEB=5V  
µA  
Collector-Em itter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
0.5  
V
IC=1A, IB=100m A*  
Base-Em itter Turn-On  
Voltage  
VBE(on)  
hFE  
1.0  
V
IC=1A, VCE=1V*  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
50  
85  
60  
IC=5m A, VCE=10V*  
IC=500m A, VCE=1V*  
IC=1A, VCE=1V*  
375  
BC868-16 100  
BC868-25 160  
250  
375  
IC=500m A, VCE=1V*  
IC=500m A, VCE=1V*  
Transition Frequency  
Output Capacitance  
fT  
60  
45  
MHz  
pF  
IC=10m A, VCE=5V  
f = 35MHz  
Cobo  
VCB=10V, f=1MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
For typical characteristics graphs see FMMT449 datasheet.  
3 - 11  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Transistor
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BC868-25-T MCC

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 		暂无描述
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 		TRANSISTOR 1 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, MPT3, SMD, UPAK-3, BIP General P
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