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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.05 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 45 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 420 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC857CTTR | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC |
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| BC857CV | BL Galaxy Electrical |
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45V,0.1A,General Purpose PNP Bipolar Transistor |
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| BC857CW | NEXPERIA |
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65 V, 100 mA PNP general-purpose transistorsProduction |
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| BC857CW | INFINEON |
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PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain |
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| BC857CW | DIODES |
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PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| BC857CW | DIOTEC |
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Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
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| BC857CW | TYSEMI |
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Low current (max. 100 mA). Low voltage (max. 65 V). |
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| BC857CW | NXP |
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PNP general purpose transistors |
|
| BC857CW | KEXIN |
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PNP General Purpose Transistor |
|
| BC857CW | SECOS |
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BC856AW |
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