BC857CW-7-F

更新时间： 2024-11-25 13:05:55

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	49K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BC857CW-7-F 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	0.7
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	420
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

BC857CW-7-F 数据手册

BC856AW - BC858CW

PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR

Features

Ideally Suited for Automatic Insertion

SOT-323

Complementary NPN Types Available

(BC846W-BC848W)

Dim

Min

0.25

1.15

2.00

Max

0.40

1.35

2.20

For Switching and AF Amplifier Applications

Mechanical Data

Case: SOT-323, Molded Plastic

0.65 Nominal

Case material - UL Flammability Rating

Classification 94V-0

0.30

1.20

1.80

0.0

0.40

1.40

2.20

0.10

1.00

0.40

0.18

8°

Moisture sensitivity: Level 1 perJ-STD-020A

Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method ^K

208

0.90

0.25

0.10

0°

Pin Connections: See Diagram

Marking Code: See Table Below & Diagram

on Page 2

Ordering & Date Code Information: See Page 2

Approx. Weight: 0.006 grams

Marking Code (Note 2)

All Dimensions in mm

Type

Marking

K3A

Type

Marking

K3G

BC856AW

BC856BW

BC857AW

BC857BW

BC857CW

BC858AW

BC858BW

BC858CW

K3B

K3J, K3A, K3V

K3K, K3B, K3W

K3L, K3G

K3V, K3A

K3W, K3B

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Maximum Ratings

Characteristic

Symbol

Value

Unit

-80

-50

-30

Collector-Base Voltage

BC856

BC857

BC858

V_CBO

-65

-45

-30

Collector-Emitter Voltage

BC856

BC857

BC858

V_CEO

V_EBO

I_C

-5.0

-100

°C/W

°C

Emitter-Base Voltage

Collector Current

I_CM

Peak Collector Current

-200

I_EM

Peak Emitter Current

-200

P_d

Power Dissipation (Note 1)

Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)

Operating and Storage Temperature Range

200

R_qJA

T_j, T_STG

625

-65 to +150

Notes:

1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout

document AP02001, which can be found on ourwebsite at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.

2. Current gain subgroup “C” is not available for BC856W.

DS30251 Rev. A-2

1 of 2

BC856AW - BC858CW

中文翻译

下载PDF

BC857CW-7-F 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BC857CW-7	DIODES	类似代替	PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR

与BC857CW-7-F相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC857CW-AU	PANJIT	获取价格	SOT-323
BC857CW-AU_A0_00001	PANJIT	获取价格	PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
BC857CW-AU_A0_10001	PANJIT	获取价格	PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
BC857CW-AU_A1_00001	PANJIT	获取价格	PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
BC857CW-AU_A1_10001	PANJIT	获取价格	PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
BC857CW-AU_A2_00001	PANJIT	获取价格	PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
BC857CW-AU_A2_10001	PANJIT	获取价格	PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
BC857CW-AU_AD_00001	PANJIT	获取价格	PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
BC857CW-AU_AD_10001	PANJIT	获取价格	PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
BC857CW-AU_AU_00001	PANJIT	获取价格	PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS

与BC857CW-7-F相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

40
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

32
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

60
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

56

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BC857CW-7-F

BC857CW-7-F 技术参数

BC857CW-7-F 数据手册

BC857CW-7-F 替代型号

与BC857CW-7-F相关器件

与BC857CW-7-F相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BC857CW-7-F

BC857CW-7-F 技术参数

BC857CW-7-F 数据手册

BC857CW-7-F 替代型号

与BC857CW-7-F相关器件

与BC857CW-7-F相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？