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BC857C

更新时间: 2024-02-11 20:36:38
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科信 - KEXIN 晶体晶体管光电二极管IOT
页数 文件大小 规格书
3页 69K
描述
PNP Transistor

BC857C 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.55Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:45 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):125
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

BC857C 数据手册

 浏览型号BC857C的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC857C的Datasheet PDF文件第3页 
SMD Type  
Transistors  
PNP Transistor  
KC856A,B/KC857A,B,C/KC858A,B,C  
(BC856A,B/BC857A,B,C/BC858A,B,C)  
SOT-23  
Unit: mm  
+0.1  
2.9  
-0.1  
+0.1  
0.4  
-0.1  
3
Features  
Ideally suited for automatic insertion  
For Switching and AF Amplifier Applications  
1
2
+0.1  
0.95  
-0.1  
+0.05  
0.1  
-0.01  
+0.1  
1.9  
-0.1  
1.Base  
2.Emitter  
3.collector  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25  
Parameter  
KC856  
Symbol  
VCBO  
Rating  
-80  
Unit  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
V
V
KC857  
KC858  
KC856  
KC857  
KC858  
-50  
-30  
-65  
VCEO  
-45  
-30  
Emitter-Base Voltage  
VEBO  
IC  
-5  
V
A
Collector Current -Continuous  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
-0.1  
PC  
200  
mW  
TJ  
150  
Storage Temperature  
Tstg  
-65 to +150  
1
www.kexin.com.cn  

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