| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC857CDW | YEASHIN |
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Dual General Purpose Transistors |
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| BC857CDW | GWSEMI |
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Package : SOT-363; Polarity : PNP+PNP; Ic (mA) : -200; VCEO (V) : -45; hFE = Min : 420; hF |
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| BC857CDW-H | FORMOSA |
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Status : Active; Package : SOT-363; Polarity : Dual PNP; VCBOMax.(V) : -50; VCEOMax.(V) : |
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| BC857CDW-Q1-H | FORMOSA |
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Status : Active; Package : SOT-363; Polarity : Dual PNP; VCBOMax.(V) : -50; VCEOMax.(V) : |
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| BC857CDW1T1 | LRC |
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Dual General Purpose Transistors(PNP Duals) |
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| BC857CDW1T1 | ONSEMI |
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Dual General Purpose Transistors |
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| BC857CDW1T1 | ETL |
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Dual General Purpose Transistors |
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| BC857CDW1T1G | ONSEMI |
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Dual General Purpose Transistors |
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| BC857CE6327 | INFINEON |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| BC857CE6327HTSA1 | INFINEON |
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元器件封装:PG-SOT23; |
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