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BC857CDW1T1 PDF预览

BC857CDW1T1

更新时间： 2024-01-01 15:28:40
品牌 Logo 应用领域
ETL 晶体晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
5页 469K
描述
Dual General Purpose Transistors

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BC857CDW1T1 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SC-88包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：8 weeks
风险等级：0.98Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：224492
Samacsys Pin Count：6Samacsys Part Category：Integrated Circuit
Samacsys Package Category：SOT23 (6-Pin)Samacsys Footprint Name：SC-88 SC70-6 SOT-363 CASE 719B-02 ISSUE W
Samacsys Released Date：2015-07-24 09:59:46Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：420
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.38 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

BC857CDW1T1 数据手册

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Dual General Purpose Transistors  
PNP Duals  
These transistors are designed for general purpose amplifier  
applications. They are housed in the SOT–363/SC–88 which is  
designed for low power surface mount applications.  
BC856BDW1T1  
BC857BDW1T1  
BC857CDW1T1  
BC858BDW1T1  
BC858CDW1T1  
6
Q2  
1
5
4
6
5
4
See Table  
Q1  
1
2
3
3
2
SOT–363/SC–88  
CASE 419B STYLE 1  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol BC856  
BC857 BC858  
Unit  
V
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V CEO  
V CBO  
V EBO  
I C  
–65  
–80  
–45  
–50  
–30  
–30  
V
–5.0  
–100  
–5.0  
–100  
–5.0  
–100  
V
Collector Current  
-Continuous  
mAdc  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation  
Per Device  
P D  
380  
250  
mW  
mW  
FR– 5 Board, (1) TA = 25°C  
Derate above 25°C  
3.0  
328  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
R θJA  
T J , T stg  
–55 to +150  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping  
BC856BDW1T1  
BC857BDW1T1  
BC857CDW1T1  
BC858BDW1T1  
BC858CDW1T1  
SOT–363  
SOT–363  
SOT–363  
SOT–363  
SOT–363  
3000 Units/Reel  
3000 Units/Reel  
3000 Units/Reel  
3000 Units/Reel  
3000 Units/Reel  
BC856b–1/5  
12345

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与BC857CDW1T1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC857CDW1T1G ONSEMI

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 		Dual General Purpose Transistors
BC857CE6327 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC857CE6433 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC857CE6433HTMA1 INFINEON

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC857CF NXP

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 		PNP general purpose transistors
BC857CF,115 NXP

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 		TRANSISTOR 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SMD, SC-89, 3 PIN, BIP
BC857CFT/R NXP

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BC857C-GS08 VISHAY

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
BC857C-GS18 VISHAY

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
BC857C-HF COMCHIP

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 		General Purpose Transistor

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