BC856A_

更新时间： 2024-02-09 11:12:24

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TAITRON		晶体晶体管
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4页	97K
描述
PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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BC856A_ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	PLASTIC, SC-70, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.04	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	5 pF
集电极-发射极最大电压：	65 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	125	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.65 V	Base Number Matches：	1

BC856A_ 数据手册

BC856 SERIES

THERMAL CHARACTERISTICS

PARAMETER

SYMBOL

Value

UNIT

Thermal Resistance , Junction to Ambient

R_ΘJA

556

^OC /W

Note 1: Transistor mounted on FR-5 board 1.0 x 0.75 x 0.062 in. Minimum pad layout.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_J=25 C, unless otherwise noted)

PARAMETER

Collector - Emitter Breakdown Voltage

(I_C=-10mA, I_B=0)

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

BC856A,B

BC857A,B,C

-65

-45

-30

-80

-50

-30

-5.0

V CE0

(BR)

BC858A,B,C, BC859B,C

BC856A,B

Collector - Base Breakdown Voltage

(I_C=-1 0 µA, I_E=0)

BC857A,B,C

CB0

(BR)

BC858A,B,C, BC859B,C

Emitter - Base Breakdown Voltage (I_E=-1µA, I_C=0)

Emitter-Base Cutoff Current (V_EB=-5V)

EB0

(BR)

I_EBO

-100

Collector-Base Cutoff Current (V_CB=-30V, I_E=0 )

-15

I_CBO

T_J=150 ^OC

BC856A, BC857A, BC858A

-4.0

DC Current Gain

150

270

(I_C=-1 0 µA, V_CE=-5V)

BC856B, BC857B, BC858B, BC859B

BC857C, BC858C, BC859C

h_FE

(I_C=-2.0mA, V_CE=-5V)

BC856A, BC857A, BC858A

BC856B, BC857B, BC858B, BC859B

BC857C, BC858C, BC859C

110

180

290

520

220

450

800

-0.3

-0.65

200

420

Collector – Emitter Saturation Voltage (I_C=-10mA, I_B=-0.5mA)

(I_C=-100mA, I_B=-5.0mA)

V_CE(SAT)

Base – Emitter Saturation Voltage

(I_C=-10mA, I_B=-0.5mA)

(I_C=-100mA, I_B=-5.0mA)

(I_C=-2.0mA, V_CE=-5.0V)

(I_C=-10mA, V_CE=-5.0V)

-0.7

-0.9

V_BE(SAT)

-0.60

Base – Emitter On Voltage

-0.75

-0.82

V_BE(ON)

C_CB

Collector - Base Capacitance

(V_CB=-10V, I_E=0, f=1MHz)

4.5

Current-Gain - Bandwidth Product

(I_C=-10mA, V_CE=-5.0V, f=100MHz)

F_T

200

MHz

PAGE . 2

STAD-JUL.11.2005

123 4

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